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<p>볼록 형상의 축적 전극과, 이 축적 전극의 표면을 덮도록 형성된 커패시터 절연막과, 이 커패시터 절연막 상에 형성된 축적 전극을 포함하는 스택형 커패시터 셀에서, 축적 전극의 상단부의 예각 코너에서의 전계 집중을 억제하는 것을 목적으로 한다. 볼록 형상의 축적 전극과, 이 축적 전극의 표면을 덮도록 형성된 커패시터 절연막과, 이 커패시터 절연막 상에 형성된 축적 전극을 포함하는 스택형 커패시터를 구비하는 반도체 장치에서, 상기 축적 전극의 축적 표면과 상기 커패시터 절연막과의 사이에, 상기 커패시터 절연막과 다른 절연체 재료로 구성된 축적 전극 캡막이 형성되어 있다.</p> |
