发明名称 The Method for Preparation of Flip chip Bump and UBM for High speed Copper Interconnect Chip Using Electroless Plating Method
摘要 본 발명은 고속구리배선 칩 접속용 플립칩 범프(Bump) 및 UBM(Under Bump Metallurgy) 형성방법에 관한 것으로서 보다 상세하게는 구리(Cu) 입출력(I/O)패드위에 무전해 구리도금과 무전해 니켈도금 공정을 연속으로 수행하여 이루어진 구리/니켈 또는 구리/니켈/구리 등의 플립칩 범프 및 UBM 형성방법에 관한 것이다. 본 발명은 고속구리배선 칩에 플립칩 범프 또는 UBM를 형성하는 데에 있어서 구리 배선 칩의 무전해 구리/니켈 범프는 무전해 구리 도금과 무전해 니켈 도금을 함께 도입함으로써 무전해 구리 도금의 장점인 구리 칩 패드와의 우수한 선택성 및 접착력과 무전해 니켈 도금의 장점인 빠른 도금 속도를 모두 갖추고 있다.
申请公布号 KR100345035(B1) 申请公布日期 2002.07.24
申请号 KR19990049093 申请日期 1999.11.06
申请人 한국과학기술원 发明人 나재웅;전영두;임명진;백경욱
分类号 C23C18/31;C23C18/52;H01L21/288;H01L21/60 主分类号 C23C18/31
代理机构 代理人
主权项
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