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<p>Transistor à effet de champ formé dans un substrat semi-conducteur avec une grille en tranchée ou en sillon présentant des parois en forme de V. Un oxyde de grille est cultivé sur les parois en V jusqu'à la surface du substrat et rempli d'un matériau électrode de grille, tel un polysilicium. Le fond des parois en V est de préférence arrondi avant ou après la production d'oxyde de grille. Les impuretés des source/drain sont soit diffusées soit implantées dans les zones du substrat situées des deux côtés de l'oxyde de surface de la grille en V. Des contacts sont établis à l'intérieur de l'isolation de champ avec la source et le drain, ainsi qu'avec l'extérieur de la grille et sur l'isolation de champ pour compléter la structure. La structure TEC résultante se compose d'une grille en forme de V qui n'est pas auto-alignée, avec une source et un drain conventionnels, entourée par une isolation de champ mais comportant une longueur de canal effective (Leff) inférieure à environ une moitié de la largeur superficielle de la grille, dont la partie superficielle se prolonge jusqu'à l'isolation de champ. Le fond de la grille en V est de préférence arrondie et concave. En raison de la structure en V de la grille, la longueur effective saturée du canal, sous l'effet d'une tension de drain, ne s'étend que du bord de la source jusqu'à un point situé juste avant la pointe de la structure en V, à l'intérieur du substrat à semi-conducteur. Le côté drain de la structure en V devient une zone de déplétion du fait de la tension de drain appliquée. Grâce à cette caractéristique d'une telle structure, la largeur superficielle de la grille peut couvrir par exemple deux ou davantage de fois la distance correspondant à la longueur de canal désirée, ce qui permet d'utiliser la lithographie conventionnelle pour graver des longueurs de grille beaucoup plus réduites que la limite lithographique.</p> |
