| 发明名称 | 70纳米器件工艺剖面结构的实现方法 | ||
| 摘要 | 一种70纳米器件工艺剖面结构的实现方法,其主要步骤如下:步骤1:横向限定的超陡的倒掺杂纵向沟道剖面的实现;步骤2:沟道区注氮后栅氧化;步骤3:横向沟道剖面控制的实现;本发明具有不需大型的专用设备、成本低、环境污染小和工艺简单的优点。 | ||
| 申请公布号 | CN1360342A | 申请公布日期 | 2002.07.24 |
| 申请号 | CN00135748.4 | 申请日期 | 2000.12.19 |
| 申请人 | 中国科学院微电子中心 | 发明人 | 徐秋霞;钱鹤 |
| 分类号 | H01L21/306;H01L21/311;H01L21/3213 | 主分类号 | H01L21/306 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汤保平 |
| 主权项 | 1、一种70纳米器件工艺剖面结构的实现方法，其特征在于，其主要步骤如下：步骤1：横向限定的超陡的倒掺杂纵向沟道剖面的实现；步骤2：沟道区注氮后栅氧化；步骤3：横向沟道剖面控制的实现。 | ||
| 地址 | 100029北京市德外祁家豁子 | ||