发明名称 在多层陶瓷结构中制造波导的方法以及一种波导
摘要 本发明涉及一种波导制造方法与以此方法制造的波导,此波导可集成在以多层陶瓷技术制造的电路结构中,波导的芯子部分(23,33,43,53a,53b,53c)由一组陶瓷层装配而成,它沿yz平面方向受两个阻抗突变的限制而沿xz平面方向受两个由导电材料制成的平表面(24,25,34,35,54a,54b,54c,55a,55b,55c)的限制。这两个导电表面可通过由导电材料制成的通孔(38,39,48,49)互相连接。根据本发明的方法制造的波导作为整体是电路结构的一个固定部分。
申请公布号 CN1360742A 申请公布日期 2002.07.24
申请号 CN00810061.6 申请日期 2000.07.10
申请人 诺基亚公司 发明人 奥利·萨尔梅拉;埃萨·肯品恩;汉斯·索摩马;颇蒂·伊卡兰恩;马库·科伊维斯托
分类号 H01P3/16;H05K1/02;H05K3/46 主分类号 H01P3/16
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人 王永刚
主权项 1.一种在以多层陶瓷技术制造的电路结构中制造波导的方法,在此方法中可借助于互相正交的X、Y与Z轴确定电路结构的尺寸与结构方向,电路单元由独立的陶瓷层(41,61a,61b)装配而成,陶瓷层的介电常数εr高于空气的相应值,在这些层内做成要求形状的空腔(22,26,32,36,42,46,52a,52b,52c,56a,56b,56c)与孔(38,39,48,49,64a,64b),而在陶瓷层表面在要求位置上丝网印制一导电材料层(24,25,34,35,44,45,54a,54b,54c,55a,55b,55c,62a,62b,65a,65b),通过把电路结构暴露于高温中以完成此电路结构,其特征在于为了制造一个基本上沿Z轴方向的波导-在电路结构中形成至少两个基本上平行于结构的yz平面与波导长度的阻抗突变以限制波导芯子部分(23,33,43,53a,53b,53c)沿X轴方向的长度a,以及-沿xz平面通过基本上平行的导电材料的第一平面(24,34,44,54a,54b,54c,62a,62b)与第二平面(25,35,45,55a,55b,55c,65a,65b)限制波导的芯子部分(23,33,43,53a,53b,53c),这两个导电的第一与第二平面制成在沿Y轴方向构成波导芯子部分的陶瓷层的上面与下面,且这两个导电的第一与第二平面用来限制波导的芯子部分(23,33,43,53a,53b,53c)沿Y轴方向的尺寸b。
地址 芬兰埃斯波