发明名称 | 高纯四方相γ-三氧化二锰纳米晶及制备方法 | ||
摘要 | 本发明高纯四方相γ-三氧化二锰纳米晶及其制备方法,特征在于将高锰酸钾和水合肼反应,收集沉淀并烘干;所得纳米晶粒径分布在10-15纳米,颗粒度均匀,纯度达99%,不易氧化,不易吸湿,便于贮存;适用于制作软磁性材料如高频转换器、磁头、锰锌铁氧体磁芯,以及锂电池和锰干电池中的阳电极材料和用于去除废气中的CO、SO<SUB>2</SUB>、NO等气体的催化剂;本发明方法反应速度快、能耗低、成本低,容易实现工业化生产。 | ||
申请公布号 | CN1359854A | 申请公布日期 | 2002.07.24 |
申请号 | CN00135435.3 | 申请日期 | 2000.12.19 |
申请人 | 中国科学技术大学 | 发明人 | 桂宙;樊荣;胡源;陈仙辉 |
分类号 | C01G45/02 | 主分类号 | C01G45/02 |
代理机构 | 代理人 | ||
主权项 | 1、一种高纯四方相γ-三氧化二锰纳米晶的制备方法,其特征在于:将高锰酸钾和水合肼反应,产生土黄色沉淀,收集沉淀并烘干,即可得到高纯四方相γ-三氧化二锰纳米晶;其反应式为:。 | ||
地址 | 230026安徽省合肥市金寨路96号 |