发明名称 A SEMICONDUCTOR DEVICE AND A PROCESS FOR MANUFACTURING THE SAME
摘要 <p>반도체기판; 상기 반도체기판상에 형성되는 복수의 반도체소자 형성용 활성영역; 상기 복수의 활성영역을 각각 분리하며, 절연막이 매립된 홈영역 및 상기 홈영역에 인접하여 형성되는 유사활성영역을 포함하는 소자분리영역; 상기 반도체기판상에 형성되는 배선층; 및 상기 소자분리영역상에 형성되는 유사도전막을 포함하며, 상기 유사도전막이 상기 배선층의 하방에 그 일부 또는 전부가 배치되는 경우, 홈영역상에만 유사도전막이 형성되는 반도체장치가 제공된다.</p>
申请公布号 KR100346063(B1) 申请公布日期 2002.07.24
申请号 KR19990050639 申请日期 1999.11.15
申请人 샤프 가부시키가이샤 发明人 코니시아키토;카와무라아키오
分类号 H01L21/76;H01L21/3205;H01L21/762;H01L21/77;H01L21/8234;H01L23/52;H01L27/08;H01L27/088;H01L29/78 主分类号 H01L21/76
代理机构 代理人
主权项
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