| 发明名称 | 具有电容元件的半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种具有电容元件的半导体器件及其制造方法,在下层电极9A上形成电容元件用电介质层10。在该下部电极层9A和电容元件用电介质层10上形成层间绝缘层11,在该层间绝缘层11上形成到达电容元件用电介质层10的插塞孔11a。形成上层电极12A,13A使得充填该插塞孔11a的内部,而且把电容元件用电介质层10夹在中间与下层电极9A相对。电容元件用电介质层10在插塞孔11a的正下方区以及插塞孔11a的周壁的外周的区域与下层电极9A接触。由此,可以得到能够防止下层电极9A的金属原子的扩散的同时具有大容量的电容元件的半导体器件及其制造方法。 | ||
| 申请公布号 | CN1359157A | 申请公布日期 | 2002.07.17 |
| 申请号 | CN01125517.X | 申请日期 | 2001.08.10 |
| 申请人 | 三菱电机株式会社;菱电半导体系统工程株式会社 | 发明人 | 高田佳史;泉谷淳子;砂田繁树 |
| 分类号 | H01L27/10;H01L27/108 | 主分类号 | H01L27/10 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 刘宗杰;梁永 |
| 主权项 | 1.一种具有电容元件的半导体器件，其特征在于具备：下部电极层(9A)；形成在上述下部电极层(9A)上的电容元件用电介质层(10)；形成在上述下部电极层(9A)以及上述电容元件用电介质层(10)的上面，而且具有到达上述电容元件用电介质层(10)的孔(11a)的绝缘层(11)；充填上述孔(11a)的内部，而且把上述电容元件用电介质层(10)夹在中间，与上述下部电极层(9A)相对的上部电极层(12A，13A)，上述电容元件用电介质层(10)在上述孔(11a)的正下方区以及上述孔的周壁的外周区域与上述下部电极层(9A)的上表面接触。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||