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发明名称 SiC semiconductor device having a Schottky contact and method of making the same
摘要
申请公布号 EP1222694(A1) 申请公布日期 2002.07.17
申请号 EP20000967552 申请日期 2000.09.11
申请人 SICED ELECTRONICS DEVELOPMENT GMBH & CO KG 发明人 FRIEDRICHS, PETER;PETERS, DETHARD;SCHOERNER, REINHOLD
分类号 H01L21/04;H01L29/24;H01L29/45;H01L29/47;H01L29/861;H01L29/872;(IPC1-7):H01L29/872;H01L21/329 主分类号 H01L21/04
代理机构 代理人
主权项
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