发明名称 形成金属互连的方法
摘要 本发明提供形成可靠的互连的方法,其中线在插头或通路上的重叠最小化或被消除。在一方面,在通路上淀积包含诸如钨的导电材料的阻挡层插头,在线蚀刻过程中提供蚀刻停止物,并且如果线在通路上不对齐就可防止诸如铜的金属扩散进周围的电介质材料。另外,阻挡层插头防止互连电阻的整体减小,并能用反应离子蚀刻形成金属线。在另一方面,反应离子蚀刻技术用于有选择性地蚀刻金属线和阻挡层,以提供可控制的蚀刻工艺,该工艺对金属线、以及随后对阻挡层、对通路或插头表现出选择性。
申请公布号 CN1359536A 申请公布日期 2002.07.17
申请号 CN99809922.8 申请日期 1999.06.23
申请人 应用材料有限公司 发明人 丹·美旦;阿首克·K·辛哈;徐政;陈良毓;罗德里克·C·莫瑟里;丹尼尔·卡尔;戴安娜·马晓冰;叶炎;涂文强
分类号 H01L21/768 主分类号 H01L21/768
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人 王以平
主权项 1.一种在通路上形成线的方法,其中包括:a)在通路的上部形成蚀刻阻挡层;b)在蚀刻阻挡层和通路上淀积金属层;以及c)蚀刻线。
地址 美国加利福尼亚