| 发明名称 | 放射性医用植入物及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种用于近距治疗法或其他医用治疗的医用植入物,该植入最好具有硅基底,并有放射性离子植入其中。优选使用放射性氙离子。本发明提供一种离子植入方法,用于以控制方式用放射性离子掺杂硅基片。 | ||
| 申请公布号 | CN1358544A | 申请公布日期 | 2002.07.17 |
| 申请号 | CN00135269.5 | 申请日期 | 2000.12.11 |
| 申请人 | 瓦里安医疗系统公司 | 发明人 | M·德尔芬诺 |
| 分类号 | A61K51/00;A61P35/00;A61P43/00 | 主分类号 | A61K51/00 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 卢新华;王其灏 |
| 主权项 | 1.一种放射性医用植入物，包括：具有分子结构的基片材料；以及在该基片材料内的放射性表面区域，它包括且已植入于该放射性区域内基片材料分子结构之中的多个放射性离子，其中该放射性离子包括选自氩、氪、氙及氡等元素的放射性离子。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||