| 发明名称 |
Improved bipolar transistor |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
EP0600596(B1) |
申请公布日期 |
2002.07.17 |
| 申请号 |
EP19930308320 |
申请日期 |
1993.10.19 |
| 申请人 |
NATIONAL SEMICONDUCTOR CORPORATION |
发明人 |
RATNAM, PERUMAL |
| 分类号 |
H01L29/73;H01L21/331;H01L21/762;H01L29/10;H01L29/732;(IPC1-7):H01L21/331;H01L21/76 |
主分类号 |
H01L29/73 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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