| 发明名称 | 用于SONET的带内FEC校正子计算 | ||
| 摘要 | 本发明实现了带内FEC校正子生成器的技术优势,而且计算电路与SONET和SDH标准兼容。使用3个校正子生成器生成3个包含多项式的校正子。每个校正子生成器包括2个线性反馈移位寄存器(LFSR)。每个LFSR同时工作于4位并行模式和1位串行39位模式。这两个LFSR协同工作以允许数据连续移入而且生成校正子。第一FLSR移入信息位,而且在每个消息的结束,在信息位移入后,第一FLSR将其内容转储到第二LFSR。一旦移入校验位,第二LFSR的内容即包含该校正子。接着,这些校验位每次移出4位。 | ||
| 申请公布号 | CN1359202A | 申请公布日期 | 2002.07.17 |
| 申请号 | CN01143828.2 | 申请日期 | 2001.12.14 |
| 申请人 | 美国阿尔卡塔尔资源有限合伙公司 | 发明人 | 迈克·雷;克拉拉·巴龙塞利 |
| 分类号 | H04B10/12;H03M13/03 | 主分类号 | H04B10/12 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 李德山 |
| 主权项 | 1.一种校正子计算模块，包括：多个校正子生成器，生成多个校正子，每个所述校正子生成器包括一个第一线性反馈移位寄存器(LFSR)。 | ||
| 地址 | 美国得克萨斯州 | ||