发明名称 |
半导体陶瓷及由其制得的电子元件 |
摘要 |
本发明提供了一种以钛酸钡为基的半导体陶瓷,它呈现优良的PTC特性,可在低于1000℃的温度烧结。本发明也提供了由该陶瓷制得的电子元件。所述的半导体陶瓷包括含有下列物质的半导体性的烧结钛酸钡:氧化硼,选自钡、锶、钙、铅、钇和稀土元素的至少一种金属的氧化物;以及(可任选的)选自钛、锡、锆、铌、钨和锑的至少一种金属的氧化物;所掺入的氧化硼的数量,按硼原子计算,满足以下关系:0.005≤B/β≤0.50和1.0≤B/(α-β)≤4.0其中α表示半导体陶瓷中所含钡、锶、钙、铅、钇和稀土元素原子的总数,β表示半导体陶瓷中所含钛、锡、锆、铌、钨和锑原子的总数。 |
申请公布号 |
CN1087720C |
申请公布日期 |
2002.07.17 |
申请号 |
CN99103602.6 |
申请日期 |
1999.03.04 |
申请人 |
株式会社村田制作所 |
发明人 |
新见秀明;川本光俊;中山晃庆;上野哲;浦原良一 |
分类号 |
C04B35/468;H01B3/12;H01C7/02 |
主分类号 |
C04B35/468 |
代理机构 |
上海专利商标事务所 |
代理人 |
林蕴和 |
主权项 |
1.一种半导体陶瓷,包括含有下列物质的半导体性的烧结钛酸钡:氧化硼,选自钡、锶、钙、铅、钇和稀土元素的至少一种金属的氧化物;以及可任选的至少一种选自钛、锡、锆、铌、钨和锑的金属的氧化物;所掺入的氧化硼的数量,按硼原子计算,满足以下关系:0.005≤B/β≤0.50和1.0≤B/(α-β)≤4.0其中α表示半导体陶瓷中所含钡、锶、钙、铅、钇和稀土元素原子的总数,β表示半导体陶瓷中所含钛、锡、锆、铌、钨和锑原子的总数。 |
地址 |
日本京都府长冈京市 |