发明名称 | 硅基蓝-紫光发光材料及其制备工艺 | ||
摘要 | 本发明涉及一种新型硅基蓝-紫光发光材料及其制备工艺,该发光材料是在单晶硅基片层上设有发光层,在发光层上设有薄膜保护层;其制备工艺是先将单晶硅片在高温加气氛下进行热处理;然后将预处理后的单晶硅片注入离子进行掺杂;再用高能重离子对掺杂硅片进行辐照;本发明的性能稳定且发光效率较高,可发出蓝-紫光;其制备工艺代替了传统工艺。 | ||
申请公布号 | CN1358820A | 申请公布日期 | 2002.07.17 |
申请号 | CN00135466.3 | 申请日期 | 2000.12.13 |
申请人 | 中国科学院近代物理研究所 | 发明人 | 王志光;金运范;谢二庆 |
分类号 | C09K11/00 | 主分类号 | C09K11/00 |
代理机构 | 兰州中科华西专利代理有限公司 | 代理人 | 王玉双 |
主权项 | 1、一种新型硅基蓝—紫光发光材料,其特征在于在单晶硅基片层(1)上设有发光层(2),在发光层(2)上设有薄膜保护层(3)。 | ||
地址 | 730000甘肃省兰州市南昌路363号 |