发明名称 硅基蓝-紫光发光材料及其制备工艺
摘要 本发明涉及一种新型硅基蓝-紫光发光材料及其制备工艺,该发光材料是在单晶硅基片层上设有发光层,在发光层上设有薄膜保护层;其制备工艺是先将单晶硅片在高温加气氛下进行热处理;然后将预处理后的单晶硅片注入离子进行掺杂;再用高能重离子对掺杂硅片进行辐照;本发明的性能稳定且发光效率较高,可发出蓝-紫光;其制备工艺代替了传统工艺。
申请公布号 CN1358820A 申请公布日期 2002.07.17
申请号 CN00135466.3 申请日期 2000.12.13
申请人 中国科学院近代物理研究所 发明人 王志光;金运范;谢二庆
分类号 C09K11/00 主分类号 C09K11/00
代理机构 兰州中科华西专利代理有限公司 代理人 王玉双
主权项 1、一种新型硅基蓝—紫光发光材料,其特征在于在单晶硅基片层(1)上设有发光层(2),在发光层(2)上设有薄膜保护层(3)。
地址 730000甘肃省兰州市南昌路363号