静态随机存取存储器的位线负载和预充电结构

摘要

一种SRAM(图6和图7)监视其WRITE(写入)/READ(读取)管脚(77),并且当SRAM处在读取方式时,启动第一预充电方案,在该方案中,每一互补位线对(BL₁,BL＃₁;BL₂,BL＃₂;BL₃,BL＃₃;BL_n,BL＃_n)通过不管存储器单元是否处在读取方式都永久处在开启状态的第一pmos晶体管(Ld1,Ld1＃;Ld2,Ld2＃;Ld3,Ld＃3;Ldn,Ldn＃)而直接与Vcc耦合。并且只要SRAM保持在读取方式,每一互补位线对中的真实位线和虚假位线都通过第二pmos晶体管(Eq1,Eq2,Eq3,Eqn)而相互耦合。当处在写入方式时,启动第二预充电方案,使得第二pmos晶体管被关闭,而只有第一pmos晶体管保持工作。写方式的结束启动第三预充电方案,该方案使得存储器阵列中的所有真实和虚假的位线都在一瞬间短接在一起(S1,S2,Sn-1)。

主权项

1.一种具有数行和数列存储器单元的存储器阵列，其特征在于，它包含：用于选择所述数列存储器单元中的每一列存储器单元的位线，每一所述位线具有一个固有电容；以及用来有选择地将所述存储器阵列中的所有所述位线相耦合的耦合装置。