| 主权项 |
1.一种不良解析方法,在被配置成为矩阵状之多个记忆单元中,根据与电特性不良之不良记忆单元之位置有关之资料,使上述之不良记忆单元与以位元为单位之不良位元具有对应之关系,使用配合上述之记忆单元之配置进行映像所制成之原始不良位元映像用来进行不良解析;其特征是具备有:步骤(a)利用上述之原始不良位元映像,用来制成多种之退化不良位元映像;和步骤(b)对上述之多个退化不良位元映像之各个算出不良率,根据该不良率指定不良形状;上述之多种之退化不良位元映像根据多个大小不同之退化区域,对上述之原始不良位元映像进行区分,变换成为排列与上述退化区域相当之大小之图素单元之形态,和制成存在有上述之不良位元之上述图素单元作为不良图素单元;上述之不良率以上述之不良图素单元占指定区域之比例规定。2.一种不良解析方法,在被配置成为矩阵状之多个记忆单元中,根据与电特性不良之不良记忆单元之位置有关之资料,使上述之不良记忆单元与以位元为单位之不良位元具有对应之关系,使用配合上述之记忆单元之配置进行映像所制成之原始不良位元映像用来进行不良解析;其特征是具备有:步骤(a)利用上述之原始不良位元映像,用来制成多种之退化不良位元映像;和步骤(b)对上述之多个退化不良位元映像之各个算出不良率,根据该不良率指定不良形状;上述之多种之退化不良位元映像根据指定之区域,对上述之原始不良位元映像进行区分,变换成为排列与上述退化区域相当大小之图素单元之形态,和根据上述图素单元内之上述不良位元之个数所规定之多个退化临限値,进行上述之图素单元之不良判定,藉以制成存在有与上述退临限値一致之个数之上述不良位元之上述图素单元作为不良图素单元;上述之不良率以上述之不良图素单元占指定区域之比例规定。3.一种不良解析方法,在被配置成为矩阵状之多个记忆单元中,根据与电特性不良之不良记忆单元之位置有关之资料,使上述之不良记忆单元与以位元为单位之不良位元具有对应之关系,使用配合上述之记忆单元之配置进行映像所制成之原始不良位元映像用来进行不良解析;其特征是具备有:步骤(a)利用上述之原始不良位元映像,用来制成多种之退化不良位元映像;和步骤(b)对上述之多个退化不良位元映像之各个算出不良率,根据该不良率指定不良形状;上述之多种之退化不良位元映像根据多个大小不同之退化区域,对上述之原始不良位元映像进行区分,变换成为排列与上述退化区域相当大小之图素单元之形态,和根据上述图素单元内之上述不良位元之个数所规定之多个退化临限値,进行上述之图素单元之不良判定,藉以制成存在有与上述退化临限仅一致之个数之上述不良位元之上述图素单元作为不良图素单元;上述之不良率以上述之不良图素单元占指定区域之比例规定。4.如申请专利范围第1至3项中任一项之不良解析方法,其中上述之步骤(b)具有:步骤(b-1)以上述退化不良位元映像之1个之上述不良率作为基准不良率,至少使指定预设之不良形状之指定之不良率和上述之基准不良率进行对照,用来推定不良形状;步骤(b-2)以上述之基准不良率作为分母,以其余之上述退化不良位元映像之上述不良率规格化后之値,作为不良形状判定之指标値;步骤(b-3)使上述之各个指标値,与预设之不良形状判定规则进行对照,依照其结果和上述步骤(b-1)之不良形状之推定结果,用来指定不良形状。5.如申请专利范围第4项之不良解析方法,其中上述之步骤(b)更具备有用以判定上述指定区域之上述不良图素单元和上述指定区域外之上述不良图素单元有无邻接之步骤;和上述之步骤(b-1)根据上述之指定之不良率和上述基准不良率之对照结果,和上述之有无邻接之判定结果,用来推定不良形状。6.一种退化临限値之导出方法,在被配置成为矩阵状之多个记忆单元中,根据与电特性不良之不良记忆单元之位置有关之资料,将上述之不良记忆单元以位元为单位、变换成为不良位元,使用配合上述之记忆单元之配置进行映像所制成之原始不良位元映像用来进行不良解析;其特征是具备有:步骤(a)根据指定之退化区域区分上述之原始不良位元映像,用来变换成为排列有与上述退化区域相当之大小之图素单元之形态;步骤(b)对上述之每一个图素单元,计数上述图素单元内之上述不良位元之个数;步骤(c)取得以上述图素单元之个数对上述图素单元内之上述不良位元之个数之相关性表示之上述不良位元之存在特性,根据该存在特性算出上述之退化临限値。7.如申请专利范围第6项之退化临限値之导出方法,其中上述之步骤(c)更具有之步骤是在上述之不良位元之存在特性中,从上述不良位元之个数为1个之情况起开始计数其图素单元数,在上述之图素单元数最初达到极小値时,以上述之不良位元之个数作为退化临限値。8.一种电脑可读取之记录媒体,其特征是记录有用以在电脑实行申请专利范围第6或7项之退化临限値之导出方法之程式。9.一种不良解析方法,在被配置成为矩阵状之多个记忆单元中,根据与电特性不良之不良记忆单元之位置有关之资料,使上述之不良记忆单元与以位元为单位之不良位元具有对应之关系,使用配合上述之记忆单元之配置进行映像所制成之原始不良位元映像用来进行不良解析;其特征是具备有:步骤(a)利用上述之原始不良位元映像,用来制成退化不良位元映像;和步骤(b)对于上述之退化不良位元映像,抽出预设范围内之上述不良位元作为同一群组之不良位元;上述之退化不良位元映像根据指定大小之退化区域区分上述之原始不良位元映像,用来变换成为排列有与上述退化区域相当之大小之图素单元之形态,和根据上述图素元内之上述不良位元之个数所规定之退化临限値,进行上述之图素单元之不良判定,当存在有与上述退化临限値致之个数以上之上述不良位元时,就制成上述之图素单作为不良图素单元;上述之步骤(a)包含有以上述之退化临限値使上述之原始不良位元映像进行退化之步骤;上述之预先设定之范围以上述图素单元之指定个数规定;上述之步骤(b)更包含之步骤是判断存在于上述指定个数以内之上述不良图素单元为同一群组,抽出其内部所之上述不良位元作为同一群组。10.如申请专利范围第9项之不良解析方法,其中在上述之步骤(b)之后更具备有步骤(c)从上述原始不良位元映像中,削除作为上述之同一群组之被抽出之上述不良位元,藉以制成处理过之原始不良位元映像;对上述之步骤(a)-(c)重复进行预先设定之指定次数,抽出其他之群组之上述不良位元;上述之步骤(a)在第2次以后,代替上述之原始不良位元映像者,根据上述处理过之原始不良位元映像制成上述之退化不良位元映像。11.如申请专利范围第10项之不良解析方法,其中在使上述之步骤(a)和(b)重复进行预先设定之指定次数后,更具备有步骤(c)检查上述之同一群组内所包含之上述不良位示和其他群组之上述不良位元之内包关系;上述之步骤(c)更包含之步骤是使构成上述退化不良位元映像上之各个群组之上述不良图素单元之形成区域之座标进行比较,用来规定进行内包之群组和被内包之群组。12.一种不良解析方法,在被配置成为矩阵状之多个记忆单元中,根据与电特性不良之不良记忆单元之位置有关之资料,使上述之不良记忆单元与以位元为单位之不良位元具有对应之关系,使用配合上述之记忆单元之配置进行映像所制成之原始不良位元映像用来进行不良解析;其特征是具备有:步骤(a)利用上述之原始不良位元映像,用来制成退化不良位元映像;步骤(b)使上述之退化不良位元映像更进一步的退化预定之指定次数,用来制成重复退化不良位元映像;步骤(c)对于上述之重复退化位元映像,抽出预先设定之范围之上述不良位元作为同一群组之不良位元;上述之退化不良位元映像根据指定大小之第1退化区域区分上述之原始不良位元映像,用来变换成为排列有与上述第1退化区域相当之大小之第1图素单元之形态,和根据上述第1图素单元内之上述不良位元之个数所规定之第1退化临限値,进行上述之第1图素单元之不良判定,当存在有与上述之第1退化临限値一致之个数以上之上述不良位元时,就制作上述之第1图素单元作为第1不良图素单元;上述之重复退化不良位元映像根据指定大小之第2退化区域区分上述之退化不良位元映像,用来变换成为排列有与上述第2退化区域相当之大小之第2图素单元之形态,和根据上述第2图素单元内之上述第1不良图素单元之个数所规定之第2退化临限値,进行上述之第2图素元之不良判定,当存在有与上述之第2退化临限仅一致个数以上之上述第1不良图素单元时,就制作上述之第2图素单元作为第2不良图素单元:上述步骤(a)包含之步骤是利用上述之第1退化区域和上述之第1退化临限値使上述之原始不良位元映像退化;上述之步骤(b)包含之步骤是利用上述之第2退化区域和上述之第2退化临限値使上述之退化不良位元映像退化;上述之步骤(c)包含之步骤是判断存在于上述指定个数以内之上述第2不良图素单元作为同一群组,抽出其内部所含之上述不良位元作为同一群组。13.如申请专利范围第12项之不良解析方法,其中在使上述之步骤(a)-(c)重复进行预先设定之指定次数后,更具备有步骤(d)检查上述之同一群组所包含之上述不良位元和其他群组之上述不良位元之内包关系;上述之步骤(d)更包含之步骤是使构成上述之重复退化不良位元映像上之各个群组之上述第2不良图素单元之形成区域之座标进行比较,用来规定进行内包之群组和被内包之群组。14.一种电脑可读取之记录媒体,其特征是记录有用以在电脑实行申请专利范围第1至5项和第9至13项中任一项之不良解析方法之程式。图式简单说明:图1表示用以实施本发明之不良解析方法之系统构造。图2是流程图,用来说明本发明之实施形态1之不良解析方法。图3表示本发明之实施形态1之不良解析方法所使用之辨识规则之一实例。图4(A)-(C)表示用以说明本发明之实施形态1之不良解析方法之原始FBM。图5(A)-(C)表示用以说明本发明之实施形态1之不良解析方法之退化FBM。图6(A)-(C)表示用以说明本发明之实施形态1之不良解析方法之退化FBM。。图7(A)-(C)表示用以说明本发明之实施形态1之不良解析方法之退化FBM。图8是流程图,用来说明本发明之实施形态2之不良解析方法。图9表示本发明之实施形态2之不良解析方法所使用之辨识规则之一实例。图10(A)、(B)表示用以说明本发明之实施形态2之不良解析方法之原始FBM。图11(A)、(B)表示用以说明本发明之实施形态2之不良解析方法之退化FBM。图12(A)、(B)表示用以说明本发明之实施形态2之不良解析方法之退化FBM。图13是流程图,用来说明本发明之实施形态3之不良解析方法。图14表示本发明之实施形态3之不良解析方法所使用之辨识规则之一实例。图15(A)、(B)表示用以说明本发明之实施形态4之退化临限値之导出方法之原始FBM。图16是流程图,用来说明本发明之实施形态4之退化临限値之导出方法。图17(A)、(B)用来说明本发明之实施形态4之退化临限値之导出方法。图18用来说明本发明之实施形态4之退化临限値之导出方法。图19是用以实现本发明之不良解析方法之电脑系统之外观图。图20表示用以实现本发明之不良解析方法之电脑系统之构造。图21表示用以说明本发明之实施形态5之不良解析方法之原始FBM。图22表示用以说明本发明之实施形态5之不良解析方法之原始FBM之部份细节。图23是流程图,用来说明本发明之实施形态5之不良解析方法。图24表示用以说明之本发明之实施形态5之不良解析方法之退化FBM。图25表示本发明之实施形态5之处理过之原始FBM。图26表示用以说明本发明之实施形态5之不良解析方法之原始FBM之部份细节。图27表示用以说明本发明之实施形态5之不良解析方法之退化FBM。图28表示本发明之实施形态6之原始FBM。图29表示用以说明本发明之实施形态6之不良解析方法之原始FBM之部份细节。图30是流程图,用来说明本发明之实施形态6之不良解析方法。图31表示用以说明本发明之实施形态6之不良解析方法之退化FBM。图32表示用以说明本发明之实施形态6之不良解析方法之退化FBM。图33表示不良群组之内包关系,和不良形状之分类结果。图34表示本发明之实施形态7之原始FBM。图35表示用以说明本发明之实施形态7之不良解析方法之原始FBM之部份细节。图36表示用以说明本发明之实施形态7之不良解析方法之原始FBM之部份细节。图37是流程图,用来说明本发明之实施形态7之不良解析方法。图38是流程图,用来说明本发明之实施形态7之不良解析方法。图39表示用以说明本发明之实施形态7之不良解析方法之退化FBM。图40表示用以说明本发明之实施形态7之不良解析方法之退化FBM之部份细节。图41表示用以说明本发明之实施形态7之不良解析方法之重复退化FBM。图42表示用以说明本发明之实施形态7之不良解析方法之退化FBM。图43表示用以说明本发明之实施形态7之不良解析方法之退化FBM之部份之细节。图44表示用以说明本发明之实施形态7之不良解析方法之重复退化FBM。图45用来说明本发明之实施形态8之退化临限値之导出方法。图46表示处理过原始FBM用以表示不良解析结果之显示例。图47表示处理过原始FBM用以表示不良解析结果之显示例。图48表示处理过原始FBM之部份细节用以表示不良解析结果之显例。图49表示处理过原始FBM之部份细节用以表示不良解析结果之显示例。图50表示不良解析结果之统计所使用之晶圆上之区域区分。图51以图形表示不良解析结果。图52以图形表示不良解析结果。图53表示不良解析结果之统计所使用之晶圆上之区域区分。图54以图形表示不良解析结果。图55以图形表示不良解析结果。图56表示用以说明习知之不良解析方法之问题点之原始FBM。图57表示用以说明习知之不良解析方法之问题点之退化FBM。图58表示用以说明习知之不良解析方法之问题点之退化FBM。 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