| 主权项 |
1.一种微影透镜品质检验之方法,该方法至少包含以下步骤:提供一光罩,该光罩包含第一偶数个第二偶数个晶元于其中做为照光之光罩,上述第一偶数个相同于第二偶数个,以使得该光罩之中心系落于晶元与晶元之间的切割道上;利用该光罩及该待检测之微透镜,照光于一涂布负型光阻的半导体基板上;显影该光阻;及检验该半导体基板上切割道之残留光阻。2.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之检验该半导体基板上切割道之残留光阻步骤系以光学显微镜观察。3.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之切割道系非微影投射光源照射之位置。4.如申请专利范围第1项之方法,更包含在一测试晶圆上,对每一像场施以不等之照光绝量,以检验每一像场切割道位置上残留光阻之量,藉以了解设微透镜适合用的曝光能量范围。5.一种微影透镜抗反射涂层吸收杂散光能力的检验之方法,该方法至少包含以下步骤:提供一光罩,该光罩包含第一偶数个第二偶数个晶元于其中做为照光之光罩,上述第一偶数个相同于第二偶数个,以使得该光罩之中心系落于晶元与晶元之间的切割道上;施以第一种照光能量,对该光罩及该待检测之微透镜,照光于一涂布负型光阻的半导体基板第一像场上;施以第二种照光能量,对该光罩及该待检测之微透镜,照光于一涂布负型光阻的半导体基板第二像场上;显影该光阻;及检验该半导体基板上切割道之残留光阻。6.如申请专利范围第5项之方法,其中上述之检验该半导体基板上切割道之残留光阻步骤系以光学显微镜观察。7.如申请专利范围第5项之方法,其中上述之切割道系非微影投射光源照射之位置。8.如申请专利范围第5项之方法,其中上述之检验该半导体基板上切割道之残留光阻,系藉由该第一种照光能量及第二种照光能量,以了解该微透镜适合用的曝光能量范围。图式简单说明:图一显示光罩、微透镜、晶圆及投射光与杂散光之相关关系示意图。图二显示杂散光对接触垫(bonding pad)、切割道上残留光阻影响的情况。图三显示,依据本发明的方法,对每一像场施以等差级数之照光能量照射以得知被检验之微透镜适合用的曝光能量范围。 |
