| 主权项 |
1.一种于复晶矽蚀刻机台系统中进行即时显影后检查,系包含下列步骤:(a)将一晶圆置入复晶矽蚀刻机台系统中,其中所述之晶圆上系包含形成闸极结构之多晶矽材质及经显影后为定义闸极位置之光阻;(b)于晶圆定位反应室(orienter chamber)进行显影后检查(AfterDevelop Inspection;ADI)L检查显影后检查结果显示所述光阻宽度是否合于制程要求;(c)依据所述显影后检查结果,调整制作闸极结构之蚀刻条件,用于修正所述光阻宽度及制作所述闸极结构。2.如申请专利范围第1项所述之于复晶矽蚀刻机台系统中进行即时显影后检查,其中所述于晶圆定位反应室进行显影后检查,系在所述晶圆定位反应室中装置电子扫瞄显微镜系统。3.如申请专利范围第2项所述之于复晶矽蚀刻机台系统中进行即时显影后检查,其中所述电子扫瞄显微镜系统系包含电子枪及显像部分。4.如申请专利范围第1项所述之于复晶矽蚀刻机台系统中进行即时显影后检查,其中所述显影后检查结果显示光阻宽度较制程要求为宽时,即加强蚀刻强度。5.如申请专利范围第1项所述之于复晶矽蚀刻机台系统中进行即时显影后检查,其中所述显影后检查结果显示光阻宽度较制程要求为窄时,即减弱蚀刻强度。6.如申请专利范围第1项所述之于复晶矽蚀刻机台系统中进行即时显影后检查,其中所述显影后检查结果显示光阻宽度合乎制程要求时,即不改变蚀刻强度。7.一种于复晶矽蚀刻机台系统中进行即时显影后检查,系包含下列步骤:(a)将一晶圆置入复晶矽蚀刻机台系统中,其中所述之晶圆上系包含形成闸极结构之多晶矽材质及经显影后为定义闸极位置之光阻;(b)蚀刻机台的蚀刻反应室(etching chamber)中进行第一部份光阻裁减;(c)于晶圆定位反应室(orienter chamber)中进行第一次显影后检查(After Develop Inspection;ADI);(d)依据所述第一次显影后检查结果,调整第二部份光阻裁减条件,以进行第二部份光阻裁减;(e)进行第二次显影后检查(ADI);(f)蚀刻以制作所述闸极结构。8.如申请专利范围第7项所述之于复晶矽蚀刻机台系统中进行即时显影后检查,其中所述于晶圆定位反应室进行显影后检查,系在所述晶圆定位反应室中装置电子扫瞄显微镜系统。9.如申请专利范围第8项所述之于复晶矽蚀刻机台系统中进行即时显影后检查,其中所述电子扫瞄显微镜系统系包含电子枪及显像部分。10.如申请专利范围第7项所述之于复晶矽蚀刻机台系统中进行即时显影后检查,其中所述光阻裁减系使用含氧气(O2)之电浆进行之。11.如申请专利范围第7项所述之于复晶矽蚀刻机台系统中进行即时显影后检查,其中所述步骤e中之第二次显影后检查(ADI)不符制程条件,可重复步骤d使光阻宽度合于制程要求。12.如申请专利范围第7项所述之于复晶矽蚀刻机台系统中进行即时显影后检查,其中所述第一次显影后检查结果显示光阻宽度较制程要求为宽时,即加强蚀刻强度。13.如申请专利范围第7项所述之于复晶矽蚀刻机台系统中进行即时显影后检查,其中所述第一次显影后检查结果显示光阻宽度较制程要求为窄时,即减弱蚀刻强度。14.如申请专利范围第7项所述之于复晶矽蚀刻机台系统中进行即时显影后检查,其中所述第一次显影后检查结果显示光阻宽度合乎制程要求时,即不改变蚀刻强度。图式简单说明:图一系习知步骤中在显影形成闸极光阻后,进行显影后检查之步骤流程示意图。图二系为习知步骤中在显影形成闸极光阻后,进行显影后检查之步骤流程示意图。图三系为本发明第一实施例中在制作闸极过程中,不需进行光阻裁减步骤,其进行线上即时显影后检查之步骤流程示意图。图四系为本发明第二实施例中在制作闸极过程中,需进行光阻裁减步骤,其进行线上即时显影后检查之步骤流程示意图。 |
