| 主权项 |
1.一种半导体装置,系包含:在形成有配线图型之基板,使具多数电极之面呈对向搭载,上述电极电连接于上述配线图型的第1半导体晶片;搭载于上述第1半导体晶片上,具多数电极之面系和上述第1半导体晶片而对相反侧,上述多数电极藉导线与上述配线图型做电连接的第2半导体晶片;设于上述基板与上述第1半导体晶片间的第1树脂;及于上述基板上封装上述第1半导体晶片及上述第2半导体晶片,与上述第1树脂不同的第2树脂;上述第1树脂,系选择为具备可对应对上述第2半导体晶片进行导线接合时之振动的物性者,上述第2树脂,系选择为具备与上述第2树脂密接之构件所适用之物性者。2.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中上述第1树脂,系含有导电粒子的异方性导电材料,上述第1半导体晶片之电极,系介由上述电粒子电连接上述配线图型。3.如申请专利范围第1或2项之半导体装置,其中于上述基板形成有多数贯通孔,上述配线图型系形成于上述基板之一方之面之同时,上述配线图型之一部分系通过上述贯通孔,具备设于上述配线图型上,由上述基板中与上述配线图型之侧之面之相反侧之面起,介由上述贯通孔突出的多数外部端子。4.如申请专利范围第1或2项之半导体装置,其中具备多数岛部用于设置电连接上述配线图型之多数外部端子。5.如申请专利范围第1或2项之半导体装置,其中上述基板,系玻璃环氧树脂基板。6.如申请专利范围第1或2项之半导体装置,其中上述第2半导体晶片系介由接着剂贴付于上述第1半导体晶片。7.如申请专利范围第1或2项之半导体装置,其中上述第1半导体晶片之外形系大于上述第2半导体晶片。8.如申请专利范围第7项之半导体装置,其中上述第1树脂,系设置涵盖上述第1半导体晶片之侧面。9.如申请专利范围第1或2项之半导体装置,其中上述第1及第2半导体晶片之外形尺寸相等。10.如申请专利范围第9项之半导体装置,其中上述第1树脂,系在上述第1半导体晶片之侧面及上述第2半导体晶片之侧面之中,至少涵盖上述第1半导体晶片之侧面而设置。11.如申请专利范围第1或2项之半导体装置,其中上述第1半导体晶片之外形小于上述第2半导体晶片。12.如申请专利范围第11项之半导体装置,其中上述第1树脂,系涵盖上述第1半导体晶片之侧面,及上述第2半导体晶片中面对上述基板之方之面且避开上述第1半导体晶片之对面的区域而设置。13.一种电路基板,系搭载有半导体装置者,该半导体装置,系包含:在形成有配线图型之基板,使具多数电极之面呈对向搭载,上述电极电连接于上述配线图型的第1半导体晶片;搭载于上述第1半导体晶片上,具多数电极之面系和上述第1半导体晶片面对相反侧,上述多数电极藉导线与上述配线图型做电连接的第2半导体晶片;设于上述基板与上述第1半导体晶片间的第1树脂;及于上述基板上封装上述第1半导体晶片及上述第2半导体晶片,与上述第1树脂不同的第2树脂;上述第1树脂,系选择为具备可对应对上述第2半导体晶片进行导线接合时之振动的物性者,上述第2树脂,系选择为具备与上述第2树脂密接之构件所适用之物性者。14.一种电子机器,系具有半导体装置者,该半导体装置,系包含:在形成有配线图型之基板,使具多数电极之面呈对向搭载,上述电极电连接于上述配线图型的第1半导体晶片;搭载于上述第1半导体晶片上,具多数电极之而系和上述第1半导体晶片面对相反侧,上述多数电极藉导线与上述配线图型做电连接的第2半导体晶片;设于上述基板与上述第1半导体晶片间的第1树脂;及于上述基板上封装上述第1半导体晶片及上述第2半导体晶片,与上述第1树脂不同的第2树脂;上述第1树脂,系选择为具备可对应对上述第2半导体晶片进行导线接合时之振动的物性者,上述第2树脂,系选择为具备与上述第2树脂密接之构件所适用之物性者。15.一种半导体装置之制造方法,系包含:令第1半导体晶片,相对于形成有配线图型之基板进行面朝下接合的工程;令第2半导体晶片搭载于上述第1半导体晶片上的工程;令上述第2半导体晶片与上述配线图型藉导线进行电连接的工程;于上述第1半导体晶片与上述基板间设第1树脂的程;及令上述第1及第2半导体晶片,以和上述第1树脂不同之第2树脂封装的工程;上述第1树脂,系选择为具备可对应对上述第2半导体晶片进行导线接合时之振动的物性者,上述第2树脂,系选择为具备与上述第2树脂密接之构件所适用之物性者。16.如申请专利范围第15项之半导体装置之制造方法,其中上述第1树脂,系含有导电粒子的异方性导电材料,于上述第1工程,上述第1半导体晶片之电极,系介由上述导电粒子电连接上述配线图型。17.如申请专利范围第15项之半导体装置之制方法,其中于搭载上述第2半导体晶片之工程,上述第2半导体晶片,系介由接着剂贴付于上述第1半导体晶片。18.如申请专利范围第15-17项中任一项之半导体装置之制造方法,其中上述第1半导体晶片之外形大于上述第2半导体晶片,至少在搭载上述第1半导体晶片之工程及设置第1树脂工程后,将上述第1半导体晶片与上述基板之至少一方向另一方押压,令上述第1树脂涵盖上述第1半导体晶片之侧面而设置。19.如申请专利范围第15-17项中任一项之半导体装置之制造方法,其中上述第1及第2半导体晶片之外形尺寸相等,至少在搭载上述第1半导体晶片之工程及设置第1树脂工程后,将上述第1半导体晶片与上述基板之至少一方向另一方押压,令上述第1树脂,在上述第1半导体晶片之侧面与上述第2半导体晶片之侧面之中,至少涵盖上述第1半导体晶片之侧面而设置。20.如申请专利范围第15-17项中任一项之半导体装置之制造方法,其中上述第1半导体晶片之外形小于上述第2半导体晶片,至少在搭载上述第1半导体晶片之工程及设置第1树脂工程后,将上述第1半导体晶片与上述基板之至少一方向另一方押压,令上述第1树脂,涵盖上述第1半导体晶片之侧面,及上述第2半导体晶片中面对上述基板之方之面且由上述第1半导体晶片突出的区域而设置。21.如申请专利范围第15-17项中任一项半导体装置之制造方法,其中上述导线接合工程,系使用超音波接合上述导线。22.如申请专利范围第21项之半导体装置之制造方法,其中上述导线接合工程,系在接合上述第2半导体晶片之电极与上述导线后,接合上述导线与上述配线图型。图式简单说明:图1:本发明第1实施形态之半导体装置。图2:本发明第2实施形态之半导体装置。图3:本发明第3实施形态之半导体装置。图4:本发明适用之电路基板。图5:具本发明之半导体装置的电子机器。图6:具本发明之半导体装置的电子机器。 |
