发明名称 减低光阻粗糙的方法
摘要 一种减低光阻粗糙的方法,至少包括:提供具有凹槽并位于底材上的光阻;填补凹槽直至凹槽为附加材料所填补;移除位于光阻表面上及底材上的附加材料;处理附加材料藉以增强附加材料与光阻间的附着性。并且,当附加材料的填补可以精确到只有凹槽被填补时,可以省略移除部份附加材料的步骤;当附加材料与光阻的附着性良好时,可以省略处理光阻以增强附着性的步骤。
申请公布号 TW494472 申请公布日期 2002.07.11
申请号 TW090118134 申请日期 2001.07.25
申请人 旺宏电子股份有限公司 发明人 吕燕婷
分类号 H01L21/027 主分类号 H01L21/027
代理机构 代理人 陈达仁 台北巿南京东路二段一一一号八楼之三;谢德铭 台北巿南京东路二段一一一号八楼之三
主权项 1.一种减低光阻表面粗糙的方法,包括:形成一光阻,该光阻具有一凹槽;以及形成一附加材料,使该附加材料附着于该光阻,并填补该凹槽。2.如申请专利范围第1项之减低光阻表面粗糙的方法,其中上述之凹槽系位于该光阻之侧壁。3.如申请专利范围第1项之减低光阻表面粗糙的方法,其中上述之凹槽系位于该光阻之顶部。4.如申请专利范围第1之减低光阻表面粗糙的方法,其中上述之附加材料系藉由化学作用而附着在该光阻。5.如申请专利范围第1项之减低光阻表面粗糙的方法,其中上述之附加材料系藉由物理作用而附着在该光阻。6.如申请专利范围第1项之减低光阻表面粗糙的方法,其中上述之以该附加材料填补该凹槽的方法至少包含下列之一:旋涂覆盖、净泡及喷洒。7.如申请专利范围第1项之减低光阻表面粗糙的方法,其中上述之附加材料为一流体材料。8.如申请专利范围第1项之减低光阻表面粗糙的方法,其中上述之附加材料至少包含下列之一:溶液及悬浮液。9.如申请专利范围第1项之减低光阻表面粗糙的方法,其中上述之附加材料为热固性之高分子材料。10.如申请专利范围第1项之减低光阻表面粗糙的方法,其中上述之附加材料为热素性高之高分子材料。11.如申请专利范围第1项之减低光阻表面粗糙的方法,其中上述之附加材料为具有可与该光阻中之多数个氢基发生反应之材料。12.如申请专利范围第1项之减低光阻表面粗糙的方法,其中上述之附加材料至少为下列之一:PMMA、POLY IMIDE、RELACS、含有-NH基之材料以及含有-OH基之材料。13.一种减低光阻粗糙的方法,至少包括:提供一光阻,该光阻至少具有一凹槽;填补该凹槽,使该凹槽为一附加材料所填补;和处理该附加材料,藉以增强该附加材料与该光阻间的附着性。14.如申请专利范围第13项之减低光阻粗糙的方法,其中上述之凹槽系位于该光阻之侧壁。15.如申请专利范围第13项之减低光阻粗糙的方法,其中上述之凹槽系位于该光阻之顶部。16.如申请专利范围第13项之减低光阻粗糙的方法,其中上述之处理该附加材料的方法至少包含下列之一:热处理、紫外线固化、电子束固化、以至少一化学药品使该附加材料固化、以及该附加材料之多数个官能基与该光阻之多数个官能基自然发生化学反应而键结在一起。17.一种减低光阻粗糙的方法,至少包括:提供一光阻,该光阻至少具有一凹槽并系位于一底材上;以一附加材料覆盖该光阻,使得该凹槽为该附加材料所填补;以及移除不位于该凹槽内之部份该附加材料。18.如申请专利范围第17项之减低光阻粗糙的方法,其中上述之以该附加材料填补该凹槽的方法至少包含下列之一:涂覆盖、净泡及喷洒。19.如申请专利范围第17项之减低光阻粗糙的方法,其中上述之移除部份该附加材料的方法至少包含下列之一:热处理及旋转。图式简单说明:第一A图至第一B图为理想光阻形状的定性示意图;第一C图至第一D图为实际光阻形状的定性示意图;第二A图至第二D图为本发明之一较佳实施例的横截面示意图;以及第三A图至第三C图为本发明之另一较佳实施例中三种可能的基本流程图。
地址 新竹科学工业园区新竹市力行路十六号