发明名称 具有双层阴电极的场发射显示面板及其制造方法
摘要 一种在同一玻璃底板上具有一双层阴电极以及一阳电极的二极结构场发射显示面板及其制造方法,该场发射面板,具有复数个电子发射堆,每一该电子发射堆包括一介电材料层,做为阴极的一第一导电层其顶面及侧壁被覆有一微管发射层,以及一第二导电层形成于该微管发射层顶面,其中该第一导电层及该第二导电层系为长条形状,该第二导电层能阻止该第一导电层顶面的微管发射层朝上方发射电子,而使该微管发射层所发出的电子部向下朝向在该玻璃底板上的阳电极;本发明能有效限制电子发射的方向避免电子散射至相邻的相素,因而能改善场发射显示器的显示品质。
申请公布号 TW494425 申请公布日期 2002.07.11
申请号 TW090115206 申请日期 2001.06.22
申请人 财团法人工业技术研究院 发明人 李正中;廖贞慧;郑华琦;王文俊
分类号 H01J1/30 主分类号 H01J1/30
代理机构 代理人
主权项 1.一种场发射显示面板,在同一基板上具有双层阴电极以及阳电极,至少包含:一第一绝缘板,具有一纵方向以及一横方向;复数个电子发射堆,形成于该第一绝缘板上,该复数个电子发射堆彼此在该纵方向上大致以一预定之相等距离相间隔,且每一该发射堆皆平行于该横方向,每一该电子发射堆依序包括:一介电材料层;一第一导电层,其顶面及侧壁被覆有一微管发射层;以及一第二导电层,形成于该微管发射层顶部;该第一导电层及该第二导电层系为长条形状;复数个导电带,形成于该复数个电子发射堆之间的该第一绝缘板上;复数个萤光被覆带,形成于该复数个导电带上,当被该微管发射层所发出之电子激发时可发出红光、绿光或蓝光;一第二绝缘板,置于该第一绝缘板之上并与该第一绝缘板相隔一间距;以及复数个侧墙板,接合该第一绝缘板以及该第二绝缘板之周围,使该第一绝缘板以及该第二绝缘板之间形成一密闭空间。2.如申请专利范围第1项所述之场发射显示面板,其中该导电带更包含一反射被覆层形成于该导电带与该第一绝缘板之间。3.如申请专利范围第2项所述之场发射显示面板,其中该反射被覆层由金属所构成。4.如申请专利范围第1项所述之场发射显示面板,其中该第一绝缘板以及该第二绝缘板由透明之陶瓷材料所构成。5.如申请专利范围第1项所述之场发射显示面板,其中该第一导电层为该场发射显示面板之阴电极。6.如申请专利范围第1项所述之场发射显示面板,其中该第一导电层以及该第二导电层由含有金属颗粒之导电胶所组成。7.如申请专利范围第1项所述之场发射显示面板,其中该导电带为该场发射显示面板之阳电极。8.如申请专利范围第1项所述之场发射显示面板,其中该导电带由铟锡氧(ITO)所组成。9.如申请专利范围第1项所述之场发射显示面板,其中该微管发射层由微米尺度之空心管以及一黏结剂混合而成。10.如申请专利范围第1项所述之场发射显示面板,其中该微管发射层由微米尺度之碳空心管、钻石空心管或类钻石空心管以及一高分子黏结剂混合而成。11.如申请专利范围第1项所述之场发射显示面板,其中每一该萤光被覆带当被该电子发射堆所发射出的电子激发后可发出红光、绿光或蓝光,而相邻的该萤光被覆带系发出不同颜色的光。12.如申请专利范围第1项所述之场发射显示面板,其中该介电材料层的厚度介于5m至500m之间。13.一种在同一基板上具有双层阴电极以及阳电极之场发射显示面板的制造方法,至少包含下列步骤:提供一第一绝缘板;在该第一绝缘板上形成复数个导电带;利用厚膜印刷技术在该第一绝缘板上形成一介电材料层,该介电材料层为平行该第一绝缘板一横向方向的复数个长条;在该介电材料层上形成长条状之一第一导电层;在长条状之该第一导电层上形成一微管发射层;对该微管发射层施以一硬化(curing)制程,使该微管发射层向下流而覆盖长条状之该第一导电层之侧壁;在该微管发射层顶部形成一第二导电层;形成复数个萤光被覆带于该复数个导电带上,每一该萤光被覆带当被该微管发射层所发出之电子激发时可发出红光、绿光或蓝光;提供一第二绝缘板置于该第一绝缘板之上并与该第一绝缘板相隔一间距;以及利用复数个侧墙板使该第一绝缘板以及该第二绝缘板之周围相接合,而在该第一绝缘板以及该第二绝缘板之间形成一密闭空间。14.如申请专利范围第11项所述之场发射显示面板的制造方法,其中该第一绝缘板以及该第二绝缘板为透明玻璃板。15.如申请专利范围第13项所述之场发射显示面板的制造方法,其中形成该第一导电层以及形成该第二导电层的步骤,包括将含有金属粒末的导电胶以印刷方式形成。16.如申请专利范围第13项所述之场发射显示面板的制造方法,其中形成该微管发射层步骤包括:将一黏结剂以及微米尺度之空心管混合所形成之混合物以印刷方式形成,该微米尺度之空心管系选自碳纤维,钻石纤维以及类钻石纤维新组成之族群中的一种。17.如申请专利范围第13项所述之场发射显示面板的制造方法,更包含:将一负电荷连接该第一导电层与该第二导电层,以及将一正电荷连接每一该导电带的步骤。18.如申请专利范围第13项所述之场发射显示面板的制造方法,其中该导电带由铟锡氧(ITO)所组成。19.如申请专利范围第13项所述之场发射显示面板的制造方法,更包含:在该第二绝缘板面向该第一绝缘板的一表面上形成一透明电极层,以及将一负电荷连接至该透明电极层的步骤。20.如申请专利范围第13项所述之场发射显示面板的制造方法,其中该萤光被覆带系利用厚膜印刷技术所形成。图式简单说明:第1A图,一种传统的场发射显示元件的放大剖面图,使用微尖端做为电子发射源。第1B图,为「第1A图」所示之场发射显示元件加上一阳电极以及侧墙板形成一封闭空间。第1C图,为「第1B图」之部分放大剖面图,显示单一之微尖端结构。第2图,一种传统的场发射显示器的放大剖面图,使用微管发射层做为电子发射源。第3图,为本发明之二极结构场发射显示器之放大剖面图,在同一玻璃底板上形成有一双层阴电极以及一阳电极。第4图,为「第3图」所示之本发明的场发射显示器结构在该微管发射层经过硬化过程后之结构。
地址 新竹县竹东镇中兴路四段一九五号