| 主权项 |
1.一种晶片封装体之制造方法,包括下列步骤:提供一矽基板,其上配置有许多主动元件;在该主动元件上依序形成数层导体连线,每层该导体连线之间系藉由垂直导体连接;于该最外层之该导体连线的表面设置一弹性体;以及在该弹性体表面形成复数个凸出该弹性体外表面之该垂直导体以作为外接点。2.如申请专利范围第1项所述之晶片封装体之制造方法,其中,在形成该外接点之步骤后,并在该弹性体之外表面且每一凸出之该垂直导体上安装一焊接导体,以形成电连接。3.如申请专利范围第2项所述之晶片封装体之制造方法,其中,该焊接导体之型态系选自焊球、针脚、焊料凸块及凸柱其中之一所组成之群组。4.如申请专利范围第1项所述之晶片封装体之制造方法,其中,在形成该外接点之步骤后,并在每一该垂直导体周围的该弹性体外表面形成一容置槽,且分别于每一容置槽中安装一焊接导体,以与凸出之该垂直导体形成电连接。5.如申请专利范围第4项所述之晶片封装体之制造方法,其中,该焊接导体之型态系选自焊球、针脚、焊料凸块及凸柱其中之一所组成之群组。6.如申请专利范围第1项所述之晶片封装体之制造方法,其中,在形成该外接点之步骤后,并在该弹性体外表面且对应每一该垂直导体之位置设有数数个焊垫,且每一该焊垫上并连接一焊接导体。7.如申请专利范围第6项所述之晶片封装体之制造方法,其中,该焊接导体之型态系选自焊球、针脚、焊料凸块及凸柱其中之一所组成之群组。8.如申请专利范围第1项所述之晶片封装体之制造方法,其中,在形成该外接点之步骤后,更利用一封装胶体包覆该晶片及该弹性体,并使该垂直导体凸出该封装胶体外。9.如申请专利范围第1项所述之晶片封装体之制造方法,其中,在形成该外接点之步骤后,更在该弹性体之外表面形成有一保护层。10.如申请专利范围第1项所述之晶片封装体之制造方法,其中,该弹性体之厚度系介于1微米至200微米之间。图式简单说明:第一a图至第一e图为本发明制作流程示意图。第二图为本发明具有容置槽之封装局部流程示意图。第三图为本发明具有焊垫之封装局部流程示意图。 |
