| 主权项 |
1.一种放电加工装置,系具备有经由被加工物与加工间隙相对向之放电加工用电极的放电加工装置,其特征为:上述放电加工用电极系由:交互积层导电层与不良导电层的层状各向异性导电体;连接于该层状各向异性导电体之积层横断端面的电阻体;以及连接于该电阻体的供电体所构成。2.一种放电加工装置,系具备有经由被加工物与加工间隙相对向之放电加工用电极的放电加工装置,其特征为:上述放电加工用电极系导电层与不良导电层交互地积层的层状各向异性导电体,及连接于该层状各向异性导电体之积层横断端面的电阻体,及连接于该电阻体的供电体,及在上述层状各向异性导电体之积层横断端面,经由电介体设置导电性的接地体,使上述接地体与被加工物相连接着。3.如申请专利范围第1或2项之放电加工装置,其中层状各由异性导电体之不良导电层系由非导电材所构成者。4.如申请专利范围第1或2项之放电加工装置,其中层状各向异性导电体之不良导电层系由电阻体所构成者。5.如申请专利范围第1或2项之放电加工装置,其中层状各向异性导电体系由各向异性碳材所构成者。6.如申请专利范围第1或2项之放电加工装置,其中具备有:供电体至少由两个给电体构成,在横断层状各向异性导电体之积层面之方向互相离开而连接于电阻体,检测流至上述各供电体之电流的电流检测机构。7.如申请专利范围第1或2项之放电加工装置,系具备有:供电体至少由两个给电体构成,在上述各供电体平行于层状各向各向异性导电体之积层面之方向互相离开之状态,且上述层状各向异性导电体之各导电层与上述各供电体的相对向面积之差或比,在上述每一各导层不同之状态下连接于电阻体,检测流至上述各供电体之电流的电流检测机构。8.如申请专利范围第1或2项之放电加工装置,其中左工进行方向之每一单位电极移动距离之每一各导电层之加工体积愈大,则与导电层相对向的供电体之宽度形成较广之形状者。9.如申请专利范围第7项之放电加工装置,其中形成层状各向异性导电体之各导电层与各供电体的相对向面积之差或比,对于上述各导电层之位置以一次函数之关系而变化之构成者。图式简单说明:第1图系表示本发明实施形态一之放电加工用电极之构造的立体图。第2图系表示第1图之放电加工装置之放电原理的等效电路图。第3图系表示具备第1图之放电加工用电极的放电加工装置之概略构成的构成图。第4图系表示本发明实施形态一之其他放电加工用电极之构造的立体图。第5图系表示本发明实施形态二之放电加工用电极之构造的立体图。第6图系表示具备第5图之放电加工用电极的放电加工装置之概略构成的构成图。第7图系表示本发明实施形态三之放电加工用电极之构造的立体图。第8图系表示具备第7图之放电加工用电极的放电加工装置之概略构成的构成图。第9图系表示本发明实施形态四之放电加工用电极之构造的立体图。第10图系表示一本发明实施形态四之其他放电加工用电极的立体图。第11图系表示习知之电阻体电极法之电极的构造图。第12图系表示习知之分割电极法之电极的构造图。第13图系表示习知之分割电极法之整体电极的立体图。 |
