| 主权项 |
1.一种研浆供应之装置,该装置系用于输送化学机械研磨之研浆供应系统,并避免研浆固体粒子聚合及沉淀于在该研浆供应系统装置中,该装置至少包含:一研浆储存装置;一研浆输送循环装置,该循环装置连接该研浆储存装置;一去离子水供给系统,该系统提供去离子水以提供化学机械研磨(CMP)设备中的研磨作业;一第一管路,该第一管路连接该循环装置与该去离子水供给系统,且研浆经由该第一管路流向该化学机械研磨设备;以及一超音波装置,该超音波装置位置与该第一管路耦接,并以超音波与该第一管路中之该研浆作用。2.如申请专利范围第1项之装置,其中上述之研浆储存装置亦可包含于该研浆输送循环装置之中。3.如申请专利范围第1项之装置,其中上述之研浆输送循环装置内可包含第一压力帮浦。4.如申请专利范围第1项之装置,其中上述之第一管路被称为静止区间(Dead Zone),该第一管路中之该研浆可以不流动。5.如申请专利范围第1项之装置,其中上述之化学机械研磨设备中可包含第二压力帮浦。6.如申请专利范围第1项之装置,其中上述第一管路与去离子水供应装置之连接处为一阀门。7.如申请专利范围第6项之装置,其中上述之阀门除了连接该第一管路与该去离子水供应装置装置之外,更连接通往该化学机械研磨设备之第二管路。8.如申请专利范围第1项之装置,其中上述之超音波装置可以经由一线路与一人机操控介面装置相连。9.如申请专利范围第1项之装置,其中上述之超音波装置可以穿透该第一管路,并直接与该第一管路中之该研浆接触作用。10.如申请专利范围第1项之装置,其中上述之超音波装置可以作用于该第一管路,经由该第一管路,而间接与该第一管路中之该研浆作用。11.一种研浆供应之装置,该装置系用于输送化学机械研磨之研浆供应系统,用以避免研浆固体粒子聚合及沉淀于该研浆供应装置中,该装置至少包含:一研浆储存装置;一研浆输送循环装置,该循环装置连接该研浆储存装置;一去离子水供给系统,该系统提供去离子水以提供化学机械研磨设备中的研磨作业;一第一管路,该第一管路连接该循环装置与该去离子水供给系统,且研浆经由该第一管路流向该化学机械研磨设备;一阀门,该阀门连接该第一管路与该去离子水供应装置,且连接第二管路以通往该化学机械研磨设备;以及一超音波装置,该超音波装置位置与该第一管路耦接,并以超音波与该第一管路中之该研浆作用。12.如申请专利范围第11项之装置,其中上述之研浆储存装置亦可包含于该研浆输送循环装置之中。13.如申请专利范围第1项之装置,其中上述之研浆输送循环装置内可包含第一压力帮浦。14.如申请专利范围第11项之装置,其中上述之第一管路被称为静止区间(Dead Zone),该第一管路中之该研浆可以不流动。15.如申请专利范围第11项之装置,其中上述之化学机械研磨设备中可包含第二压力帮浦。16.如申请专利范围第11项之装置,其中上述之超音波装置可以经由一线路与一人机操控介面装置相连。17.如申请专利范围第11项之装置,其中上述之超音波装置可以穿透该第一管路,并直接与该第一管路中之该研浆接触作用。18.如申请专利范围第11项之装置,其中上述之超音波装置可以作用于该第一管路,经由该第一管路,而间接与该第一管路中之该研浆作用。19.一种利用一研浆供应装置以提供化学机械研磨设备研磨时所需要研浆的方法,且该研浆在该研磨供应装置中不会相互结合及沉淀,该方法至少包含下列之步骤:开启循环系统帮浦,该循环系统帮浦将研浆由研浆储存系统抽取,经由一管路到达一阀门;以及开启超音波装置,该超音波装置与该管路耦接,并以超音波作用于该管路内之该研浆。20.如申请专利范围第19项之方法,其中上述管路内之该研浆,在该超音波装置的作用下,该管路内之该研浆的粒子保持运动状态。21.如申请专利范围第20项之方法,其中上述管路内之该研浆的粒子保持运动状态,使得该研浆粒子不易结合沉淀。22.如申请专利范围第19项之方法,其中上述之阀门连接一去离子水供应系统及该管路,用以控制流入该化学机械研磨设备之研磨制程所需使用液体。23.如申请专利范围第19项之方法,其中上述之超音波装置可以穿透该管路,并与该管路中之该研浆直接接触作用。24.如申请专利范围第19项之方法,其中上述之超音波装置可以作用于该管路,经由该管路,而间接与该管路中之该研浆作用。图式简单说明:图一为包含传统上应用于高度容易结合研浆之研浆供应装置的化学机械研磨装置;图二为传统的研浆供应系统;图三为研浆供应系统中依据本发明的一较佳实施例之直接超音波处理;以及图四为研浆供应系统中依据本发明的一较佳实施例之间接超音波处理。 |
