| 主权项 |
1.一种半导体装置,具有:于一导电型半导体上,隔着闸极绝缘膜形成之闸电极;邻接于上述闸电极一端之高浓度逆导电型源极领域;隔着上述通道领域与上述源极领域相一对向而形成之低浓度逆导电型汲极领域;以及由上述闸电极之另端分开,且包含于上述低浓度逆导电型汲极领域内之高浓度逆导电型汲极领域,其特征在于:至少在由上述闸电极保持预定间隔位置跨越至上述高浓度逆导电型汲极领域间的领中,于上述基板内之预定深度位置具杂质浓度峰値,而于越靠近基板表面之领域形成杂质浓度越低之中浓度逆导电型层。2.一种半导体装置,具有:于一导电型半导体上,隔着闸极绝缘膜形成之闸电极;邻接于上述闸电极一端之低浓度逆导电型源极/汲极领域;以及由上述闸电极之另端分开,且包含于上述低浓度逆导定型源极/汲极领域内之高浓度逆导电型源极/汲极领域,其特征在于:至少在由上述闸电极保持预定间隔位置跨越至上述高浓度逆导电型源极/汲极领域间的领域中,于上述基板内之预定深度位置具杂质浓度峰値,而于越靠近基板表面之领域形成杂质浓度越低之中浓度逆导电型层。3.如申请专利范围第1或第2项记载之半导体装置,其中,上述中浓度逆导电型层系形成于由上述闸电极跨越至上述高浓度逆导电型汲极领域间,或上述高浓度逆导电型源极/汲极领域间的领域。4.一种半导体装置之制造方法,具有:一导电型半导体基板上,以离子植入方式形成低浓度逆导电型汲极领域之工序;于上述半导体基板全面形成闸极绝缘膜之工序;于全面形成导电膜后使其图案化,形成至少重叠在上述汲极领域上方之闸电极之工序;以及利用离子植入形成邻接于上述闸电极一端之高浓度逆导电型源极领域,及由上述闸电极之另端分开,且包含于上述低浓度逆导电型汲极领域门之高浓度逆电导型汲极领域之工序;以及至少在由上述闸电极保持预定间隔位置跨越至上述高浓度逆电导型源极/汲极领域间的领域中,于上述基板内之预定深度位置具杂质浓度峰値,而于越靠近基板表面之领域形成杂质浓度越低之中浓度逆导电层工序。5.一种半导体装置之制造方法,具有:于一导电型半导体基板上,以离子植入方式形成低浓度逆导电型汲极领域之工序;于上述半导体基板全面形成闸极绝缘膜之工序;于全面形成导电膜后使其图案化,形成至少重叠在上述源极/汲极领域上方之闸电极之工序;利用离子植入形成自上述闸电极分开,且包含于上述低浓度逆导电型源极/汲极领域内之高浓度逆导电型源极/汲极领域之工序;以及至少在由上述闸电极端部保持预定间隔之位置跨越至上述高浓度逆电导型源极/汲极的领域间,于上述基板内之预定深度具有杂质浓度峰値,而于越靠近基板表面之领域形成杂质密度越低之中浓度逆导电层工序。6.如申请专利范围第4或第5项记载之半导体装置之制造方法,其中,上述中浓度逆导电层之形成工序,系将磷离子以100KeV至200KeV左右之高加速能量予以进行离子植入。7.如申请专利范围第4或第5项记载之半导体装置之制造方法,其中,上述中浓度逆导电层之形成工序,系以光阻剂为遮罩,在自上述闸电极离开预定间隔之位置跨越至上述高浓度逆导电型汲极领域间,或上述高浓度逆导电型源极/汲极领域间之领域,以植入离子之方式予以形成。8.如申请专利范围第4或第5项记载之半导体装置之制造方法,其中,上述中浓度逆导电层之形成工序,系以上述闸电极之侧壁部形成之侧壁绝缘膜为遮罩,在自上述闸电极离开预定间隔之位还跨越至上述高浓度逆导电型汲极领域间,或上述高浓度逆导电型源极/汲极领域间之领域,以植入离子之方式予以形成。9.如申请专利范围第4或第5项记载之半导体装置之制造方法,其中,上述中浓度逆导电层之形成工序,系以形成于上述闸电极形成用之导电膜上之光阻剂为遮罩,藉由等向性蚀刻形成闸电极后,以上述光阻剂为遮罩,在自上述闸电极离开所定间隔之位置跨越至上述高浓度逆导电型汲极领域间,或上述高浓度逆导电型源极/汲极领域间之领域,以植入离子之方式予以形成。10.如申请专利范围第4或第5项记载之半导体装置之制造方法,其中,上述中浓度逆导电层之形成工序,系以上述闸电极为遮罩,自闸电极之斜上方以植入离子,藉此形成在自上述闸电极离开所定间隔之位置跨越至上述高浓度逆导电型汲极领域间,或上述高浓度逆导电型源极/汲极领域间之领域。11.如申请专利范围第4或第5项记载之半导体装置之制造方法,其中,上述中浓度逆导电层之形成工序,系以覆盖上述闸电极所形成之光阻剂为遮罩,自该闸电极之斜上方以植入离子,藉此形成在自间电极离开预定间隔之位置跨越至上述高浓度逆导电型汲极领域间,或上述高浓度逆导电型源极/汲极领域间之领域。12.如申请专利范围第4或第5项记载之半导体装置之制造方法,其中,上述中浓度逆导电层之形成工序,系以上述闸电极为遮罩,藉由植入离子之方式,形成在自上述闸电极端部离开预定间隔之位置跨越至上述述浓度逆导电型汲极领域间,或上准高浓度逆导电型源极/汲极领域间之领域。图式简单说明:第1图系表示本发明第1实施形态之半导体装置的制造方法之第1剖面图。第2图系表示本发明第1实施形态之半导体装置的制造方法之第2剖面图。第3图系表示本发明第1实施形态之半导体装置的制造方法之第3剖面图。第4图系分别表示本发明半导体装置及习知半导体装置之基板电流(I Sub)/闸极电压(VG)特性图。第5图系分别表示本发明半导体装置及习知半导体装置之汲极电流(ID)/汲极电压(VD)特性之图。第6图系分别表示本发明半导体装置及习知半导体装置之动作耐压图。第7图系表示本发明第2实施形态之半导体装置的制造方法之剖面图。第8图系表示本发明第3实施形态之半导体装置的制造方法之剖面图。第9图系表示本发明第4实施形态之半导体装置的制造方法之剖面图。第10图系表示本发明第5实施形态之半导体装置的制造方法之剖面图。第11图系表示本发明第6实施形态之半导体装置的制造方法之剖面图。第12图系表示习知半导体装置之剖面图。第13图系说明习知动作耐压下降机构之半导体装置剖面图。第14图系表示习知寄生双极电晶体等价电路之图。第15图系表示习知动作耐压下降机构之正回授电路图。 |
