疏水化处理之评价方法、光阻图案之形成方法及光阻图案形成系统

摘要

本发明可对晶圆W表面供给HMDS气体以进行疏水化处理，然后将晶圆W收纳于晶圆匣载置台上之密闭容器中，再将之搬送至光阻图案形成装置外部之分析装置内。在分析装置内，则于诸如TOF-SIMS等分析部中对晶圆W表面之诸如CH3Si+、C3H9Si+、C3H9OSi-等离子种类之量进行质量分析，并藉此测定晶圆w表面之HMDS量(六甲基二矽氨烷)。藉以上之方法，即可测定晶圆W表面之 HMDS量，而可对疏水化处理状态进行高可信度之评价。

主权项

1.一种疏水化处理状态评价方法,系用于评价包含有下列处理部之光阻图案形成装置中之疏水化处理部之疏水化处理状态者,即:一疏水化处理部,系用以对基板表面供给疏水化处理气体以进行该表面之疏水化处理者;一涂布处理部,系用以对基板表面涂布光阻液者;一显影处理部,系用以对业经曝光之基板表面供给显影液以进行显影者;而,该方法则包含有:一搬送程序,系将以疏水化处理部疏水化处理后之基板搬送至分析部者;及一测定程序,系于该分析部内检出疏水化处理后之基板表面之疏水化处理气体成分,并藉此进行该基板表面之疏水化处理气体之相对检出値之测定者。2.如申请专利范围第1项之疏水化处理状态评价方法,其中该疏水化处理气体系六甲基二矽氨烷。3.如申请专利范围第1项之疏水化处理状态评价方法,其中该分析部系用以对基板表面之疏水化处理气体赋与能量,并测定因此所产生之离子量者。4.如申请专利范围第3项之疏水化处理状态评价方法,其中该分析部系使对该基板表面之疏水化处理气体赋与之能量为一次离子之照射,并藉质量分析而测定因此所产生之离子量者。5.如申请专利范围第3项之疏水化处理状态评价方法,其中该基板表面之疏水化处理气体受一次离子照射而产生之离子系C3H9Si+及C3H9OSi-其中之一。6.如申请专利范围第3项之疏水化处理状态评价方法,其中该分析部系使对该基板表面之疏水化处理气体赋与之能量为电晕放电,并藉质量分析而测定因此所产生之离子量者。7.如申请专利范围第6项之疏水化处理状态评价方法,其中该基板表面之疏水化处理气体电晕放电所产生之离子系质量数73.质量数74.质量数75.质量数105及质量数106之成分的其中之一。8.如申请专利范围第3项之疏水化处理状态评价方法,其中该分析部内,该离子之照射系对基板表面之制品领域外进行者。9.如申请专利范围第8项之疏水化处理状态评价方法,其中该分析部内,该离子之照射系对基板表面之划线上进行者。10.如申请专利范围第1项之疏水化处理状态评价方法,其中该分析部系设于光阻图案形成装置之外部者,该搬送程序则系将疏水化处理后之基板收纳于密闭容器中而由光阻图案形成装置将之搬送至分析部者。11.如申请专利范围第10项之疏水化处理状态评价方法,其中该密闭容器内已封入惰性气体。12.一种光阻图案之形成方法,包含有:一疏水化处理程序,系对基板表面供给疏水化处理气体以进行该表面之疏水化处理者;一涂布程序,系接着对基板表面涂布光阻液者;一显影程序,系接着对业经曝光之基板表面供给显影液以进行显影者;一测定程序,系将疏水化处理后之基板表面之疏水化处理气体成分检出,并进行该基板表面之疏水化处理气体之相对检出値之测定者;一比较程序,系比较该疏水化处理气体量之测定结果与预先设定之疏水化处理气体量之基准量者。13.如申请专利范围第12项之光阻图案之形成方法,其更具有一调整程序,该程序则系依据该比较程序之比较结果而调整疏水化处理程序之处理条件者。14.如申请专利范围第13项之光阻图案之形成方法,其中该疏水化处理程序之可调整之处理条件至少为疏水化处理时之处理温度、疏水化处理时之处理时间、疏水化处理时之疏水化处理气体之短时间平均供给量及疏水化处理时之真空度的其中之一。15.如申请专利范围第12项之光阻图案之形成方法,其更具有一气体更换程序,该程序则系依据该比较程序之比较结果,而将用以贮留应供给之疏水化处理气体之贮留部中之该气体更换成新鲜气体者。16.一种光阻图案形成系统,包含有:一疏水化处理部,系用以对基板表面供给疏水化处理气体以进行该表面之疏水化处理者;一涂布处理部,系用以于该疏水化处理部中对业经疏水化处理之基板表面涂布光阻液者;一显影处理部,系用以对已藉该涂布处理部涂布光阻液且业经曝光后之基板表面供给显影液以进行显影者;一分析部,系用以检出于该疏水化处理部中业经疏水化处理之基板表面之疏水化处理气体成分,并藉此进行该基板表面之疏水化处理气体之相对检出値之测定者。17.如申请专利范围第16项之光阻图案形成系统,其中至少该疏水化处理部、该涂布处理部及该显影处理部系作为光阻图案形成装置而一体化者,该分析部则设于该光阻图案形成装置之外部。18.如申请专利范围第17项之光阻图案形成系统,其更具有一搬送部,系用以于将疏水化处理后之基板收纳于密闭容器后,于该光阻图案形成装置与该分析部间搬送基板者。19.如申请专利范围第16项之光阻图案形成系统,其中该分析部系二次离子质量分析计。20.如申请专利范围第16项之光阻图案形成系统,其中该分析部系昇温脱离一大气压离子化质量分析计。图式简单说明:第1图系显示本发明一实施例之光阻图案形成系统整体构造之立体图。第2图系第1图所示之光阻图案形成系统之平面图。第3图系显示第1图所示之光阻图案形成系统之涂布单元一例之侧面图。第4图系显示第1图所示之光阻图案形成系统之架单元一例之侧面图。第5图系显示第4图所示之光阻图案形成系统之疏水化单元一例之截面图。第6图系显示用以收纳基板之密闭容器之立体图。第7图系第6图所示之密闭容器之截面图。第8图系显示以TOF-SIMS测定晶圆表面之HMDS量所得结果之特性图(其1)。第9图系显示以TOF-SIMS测定晶圆表面之HMDS量所得结果之特性图(其2)。第10图系显示以API-MS测定晶圆表面之HMDS量所得结果(其1)之特性图。第11图系显示以API-MS测定晶圆表面之HMDS量所得结果(其2)之特性图。第12图系显示本发明一实施例之基板搬送装置之一例之侧面图。第13图系第12图所示之基板搬送装置之立体图。第14图系显示本发明其他实施例之光阻图案形成系统构造之平面图。第15图系用以说明本发明之分析部之离子照射方法之一例者。