| 主权项 |
1.一种形成一金属氧化半导体电晶体的方法,该方法至少包括:提供一闸极介电层在一底材上;形成一多晶矽闸极在该闸极介电上;进行一多晶矽氧化程序形成一第一氧化层在该多晶矽闸极和该底材上;形成一补偿间隙壁在该多晶矽闸极侧壁的该第一氧化层上;以该多晶矽闸极和该补偿间隙壁为一遮罩进行离子植入在该底材上形成一轻掺杂汲极区;形成一主要间隙壁在该补偿间隙壁旁;以及以该多晶矽闸极,该补偿间隙壁和该主要间隙壁为一遮罩进行离子植入在该底材上形成一源极/汲极区。2.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之闸极介电层系以热氧化法形成。3.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之闸极介电层系为氧化矽。4.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之多晶矽闸极系以化学气相沉积法形成一多晶矽层在该闸极介电层上。5.如申请专利范围第4项之方法,更包含一蚀刻步骤蚀刻该多晶矽层定义出该多晶矽闸极。6.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之多晶矽闸极的一临界尺寸约为0.11微米。7.如申请专利范围第1项之方法,其中上述形成该补偿间隙壁之方法至少包含:使用一化学气相沉积程序形成一第二氧化层在该多晶矽闸极和该底材上;以及回蚀刻该第二氧化层来形成该补偿间隙壁。8.如申请专利范围第7项之方法,其中上述之第二氧化层的厚度约为200埃。9.如申请专利范围第7项之方法,其中上述之回蚀刻步骤更进一步将该补偿间隙壁旁该底材上的该第一氧化层和该闸极介电层移除而暴露出该底材。10.一种形成一金属氧化半导体电晶体的方法,该方法至少包括:提供一闸极氧化层在一底材上,该闸极氧化层系以一热氧化程序形成;形成一多晶矽闸极在该闸极氧化层上,该多晶矽闸极的一临界尺寸约为0.11微米;进行一多晶矽氧化程序形成一第一氧化层在该多晶矽闸极和该底材上;形成一补偿间隙壁在该多晶矽闸极侧壁的该第一氧化层上;以该多晶矽闸极和该补偿间隙壁为一遮罩进行离子植入在该底材上形成一轻掺杂汲极区;形成一主要间隙壁在该补偿间隙壁旁;以及以该多晶矽闸极,该补偿间隙壁和该主要间隙壁为一遮罩进行离子植入在该底材上形成一源极/汲极区。11.如申请专利范围第10项之方法,其中上述之闸极氧化层系为氧化矽。12.如申请专利范围第10项之方法,其中上述之多晶矽闸极系以化学气相沉积法形成一多晶矽层在该闸极介电层上。13.如申请专利范围第12项之方法,更包含一蚀刻步骤蚀刻该多晶矽层定义出该多晶矽闸极。14.如申请专利范围第10项之方法,其中上述形成该补偿间隙壁之方法至少包含:使用一化学气相沉积程序形成一第二氧化层在该多晶矽闸极和该底材上;以及回蚀刻该第二氧化层来形成该补偿间隙壁。15.如申请专利范围第14项之方法,其中上述之第二氧化层的厚度约为200埃。16.如申请专利范围第14项之方法,其中上述之回蚀刻步骤更进一步将该补偿间隙壁旁该底材上的该第一氧化层和该闸极氧化层移除而暴露出该底材。17.一种藉使用一多晶矽氧化程序和一补偿间隙壁程序形成一金属氧化半导体电晶体的方法,该方法至少包括:提供一闸极氧化层在一底材上,该闸极氧化层系以一热氧化程序形成;形成一多晶矽闸极在该闸极氧化层上,该多晶矽闸极的一临界尺寸约为0.11微米;进行一多晶矽氧化程序形成一第一氧化层在该多晶矽闸极和该底材上;进行一化学气相沉积程序正形地(conformally)沉积一第二氧化层,该第二氧化层的厚度约为200埃;回蚀刻该第二氧化层以形成一补偿间隙壁在该多晶矽闸极侧壁的该第一氧化层上,该回蚀刻步骤更进一步将该补偿间隙壁旁该底材上的该第一氧化层和该闸极氧化层移除而暴露出该底材;以该多晶矽闸极和该补偿间隙壁为一遮罩进行离子植入在该底材上形成一轻掺杂汲极区;形成一主要间隙壁在该补偿间隙壁旁;以及以该多晶矽闸极,该补偿间隙壁和该主要间隙壁为一遮罩进行离子植入在该底材上形成一源极/汲极区。图式简单说明:第一图系依据本发明所揭露之方法在底材上形成闸极和闸极氧化层的剖面示意图。第二图系为在第一图之结构上进行多晶矽氧化程序和形成补偿间隙壁的剖面示意图。第三图系为在第二图之结构上形成轻掺杂汲极区,间隙壁,以及源极/汲极区的剖面示意图。 |
