| 主权项 |
1.一种半色调移相光罩用之毛胚,其特征为透明基 板上之半色调移相层为以矽化钼做为主成分,至少 具有含氧、氮任一者或两者之层,且,由二层以上 之多层膜所形成之半色调移相光罩用之毛胚,于此 多层膜中,含有以铬或钽之任一者或铬钽合金为主 成分之层,且,此铬或钽任一者或铬钽合金为主成 分之层,为以前述矽化钼做为主成分,且,比含有氧 、氮任一者或两者之层更加接近透明基板侧予以 叠层。2.如申请专利范围第1项之半色调移相光罩 用之毛胚,其中,半色调移相层为于透明基板上,令 下式所求出之位相差为n/3弧度(n为奇数)之 范围所形成; 此处,为上述该透明基板上(m-2)层之半色调移相 层所构成之光罩接受垂直穿透光之位相变化,x(k,k+ 1)为第k层与第(k+1)层之界面的位相变化,u(k)、d(k) 分别为构成第k层材料之折射率和膜厚,为曝光 光线之波长; 但,k=1之层为该透明基板、k=m之层为空气。3.如申 请专利范围第1或2项之半色调移相光罩用之毛胚, 其中,半色调移相层相对于曝光光线之穿透率,于 上述该透明基板相对于此曝光光线之穿透率为100% 时,以1-50%之膜厚于上述该透明基板上形成。4.一 种半色调移相光罩,其特征为透明基板上之半色调 移相层为以矽化钼做为主成分,至少具有含氧、氮 任一者或两者之层,且,由二层以上之多层膜所形 成之半色调移相光罩,于此多层膜中,含有以铬或 钽之任一者或铬钽合金为主成分之层,且,此铬或 钽任一者或铬铪合金为主成分之层,为以上述矽化 钼做为主成分,且,比含有氧、氮任一者或两者之 层更加接近透明基板侧予以叠层。5.如申请专利 范围第4项之半色调移相光罩,其中,半色调移相层 为透明基板上,令下式所求出之位相差为n/ 3弧度(n为奇数)之范围所形成, 此处,为上述该透明基板上(m-2)层之半色调移相 层所构成之光罩接受垂直穿透光之位相变化,x(k,k+ 1)为第k层与第(k+1)层之界面的位相变化,u(k)、d(k) 分别为构成第k层材料之折射率和膜厚,为曝光 光线之波长。6.如申请专利范围第4或5项之半色调 移相光罩,其中,半色调移相层相对于曝光光线之 穿透率,于上述该透明基板相对于此曝光光线之穿 透率为100%时,以1-50%之膜厚于上述该透明基板上形 成。图式简单说明: 图1(A)为本发明半色调移相光罩用毛胚之实施形态 之第一例的截面图,图1(B)为本发明半色调移相光 罩用毛胚之实施形态之第二例的截面图。 图2(A)为本发明半色调移相光罩之实施形态之第一 例的截面图,图2(B)为本发明半色调移相光罩之实 施形态之第二例的截面图。 图3(A)-(E)为图2(A)所示之半色调移相光罩之制造工 程截面图。 图4为试验片之截面图。 图5(A)-(D)为用以说明第二例之半色调移相光罩之 制造方法、和说明蚀刻形状之截面图。 图6(A)-(D)为用以说明半色调移相法之图。 图7(A)-(D)为用以说明使用先前法光罩之转印法(投 影露光法)之图。 |
