| 主权项 |
1.一种薄膜测试卡,其系适合于动态记忆体模组测 试、平面显示器面板测试及其他电子元件测试的 薄膜测试卡结构,该薄膜测试卡包含:一可绕式印 刷电路基板;该可绕式印刷电路基板具有一第一端 与位于第一端反侧之一第二端,该第二端系与该第 一端距离一预定之距离;至少一金属层,位于该可 绕式印刷电路基板中,该至少一金属层定义至少一 金属连线,该至少一金属连线同样具有一第一端及 一第二端,位于第一端之该至少一金属连线相互间 有较小之间距,以配合待测电子元件之金属焊垫间 距,位于第二端之该至少一金属连线相互间有较大 之间距,以利与外界测试设备连接,位于第一端与 第二端间之该至少一金属连线系以放射状方式布 局完成;以及至少一金属凸块,制作于该第一端之 该至少一金属连线上,作为与该待测电子元件之金 属焊垫电接触用。2.如申请专利范围第1项所述之 薄膜测试卡,其中该至少一金属层之材料为铜,其 厚度系介于5至50微米。3.如申请专利范围第1项所 述之薄膜测试卡,其中该金属凸块之材料为镍及镍 合金,且其至少高于水平面10微米。4.一种薄膜测 试卡的制造方法,其系包含下列步骤: 提供一基板,该基板最上方为一金属层; 在该金属层上方覆盖一高分子覆盖层; 在该高分子覆盖层上升覆盖一高分子乾膜; 去除部份该高分子覆盖层及该高分子乾膜,以裸露 出部分的该金属层,形成至少一穿孔; 利用电化学制作金属材料于该至少一穿孔中,使其 高于该高分子覆盖层;以及 利用硷性溶液去除该高分子乾膜,以裸露位于该至 少一穿孔中的该金属材料,以形成高于该高分子覆 盖层平面的金属凸块。5.如申请专利范围第4项所 述之薄膜测试卡的制造方法,其中该高分子覆盖层 系为聚亚醯铵,厚度介于5至50微米。6.如申请专利 范围第4项所述之薄膜测试卡的制造方法,其中该 高分子乾膜系为聚甲基丙烯酸甲酯,厚度介于20至 100微米。7.如申请专利范围第4项所述之薄膜测试 卡的制造方法,其中该穿孔形成方法乃是利用雷射 加工方式完成。8.如申请专利范围第7项所述之薄 膜测试卡的制造方法,其中该雷射加工方式所使用 之雷射为Nd-YAG或准分子雷射。9.如申请专利范围 第4项所述之薄膜测试卡的制造方法,其中该金属 凸块之材料为镍及镍合金,且其高于覆盖层平面的 高度至少大于10微米。图式简单说明: 第1图为本发明薄膜测试卡的立体结构示意图。 第2a-2e图为本实施例图1沿着AA线所示之金属凸块 制程剖面图。 |
