| 主权项 |
1.一种适用以同时刷洗一晶圆正面及蚀刻该晶圆 背面之设备,该设备至少包含: 一支撑机构,适用以支撑一晶圆; 一刷洗机刷子,适用以接触为支撑机构所支撑之晶 圆之正面; 一供给蚀刻流体之机构,适用以供给蚀刻流体至为 支撑机构所支撑之晶圆背面; 一供给非蚀刻流体之机构,适用以供给一非蚀刻流 体至为支撑机构所支撑之晶圆正面;及 一控制器,可操作地连接至该供给蚀刻流体之机构 ,及连接至该供给非蚀刻流体之机构,该控制器系 被规划成,只要蚀刻流体被供给至晶圆之背面时, 导引供给非蚀刻流体之机构供给非蚀刻流体至晶 圆之正面。2.如申请专利范围第1项所述之设备,更 包含一刷洗机刷子适用以接触为支撑机构所支撑 之晶圆的背面。3.如申请专利范围第1项所述之设 备,其中上述之控制器更被规划,以导引该供给蚀 刻流体之机构于供给蚀刻流体后,供给一非蚀刻流 体至晶圆之背面。4.如申请专利范围第1项所述之 设备,其中上述之供给蚀刻流体之机构,及该供给 非蚀刻流体之机构均包含至少一喷嘴。5.如申请 专利范围第1项所述之设备,其中上述之适用以支 撑一晶圆之支撑机构包含多数滚筒,适用以支撑晶 圆呈垂直向,并适用以旋转该晶圆。6.如申请专利 范围第1项所述之设备,更包含一供给管路,适用以 供给液体至供给蚀刻流体之机构;及 一蚀刻流体源连接至该供给管路。7.如申请专利 范围第6项所述之设备,更包含一非蚀刻流体源连 接至该供给管路。8.如申请专利范围第7项所述之 设备,更包含一控制器可操作地连接至供给蚀刻流 体之机构,该控制器系被规划以导引供给蚀刻流体 之机构,以连续地供给蚀刻流体及非蚀刻流体至晶 圆之背面。9.如申请专利范围第6项所述之设备,其 中上述之蚀刻流体包含柠檬酸,氢氧化铵及过氧化 氢之混合。10.如申请专利范围第7项所述之设备, 其中上述之非蚀刻流体包含一清洗流体。11.一种 适用以同时刷洗一晶圆正面及蚀刻晶圆背面之设 备,该设备至少包含: 一支撑机构,适用以支撑一晶圆于垂直向; 一刷洗机刷子,适用以接触为支撑机构所支撑之晶 圆正面; 一刷洗机刷子,适用以接触为支撑机构所支撑之晶 圆背面; 一供给蚀刻流体之机构,适用以供给蚀刻流体至为 支撑机构所支撑之晶圆的背面;及 一供给非蚀刻流体之机构,适用以供给非蚀刻流体 至为支撑机构所支撑之晶圆的正面。12.一种清洗 晶圆正面及蚀刻晶圆背面之方法,该方法至少包含 步骤: 刷洗一定位于支撑机构上之晶圆的正面; 将一蚀刻流体导引至定位于支撑机构上之晶圆的 背面;及 将一非蚀刻流体导引至定位于支撑机构上之晶圆 的正面; 其中蚀刻流体蚀刻晶圆之背面,及其中非蚀刻流体 并未蚀刻晶圆正面的材料。13.如申请专利范围第 12项所述之方法,其中刷洗,导引蚀刻流体及导引非 蚀刻流体系同时发生。14.如申请专利范围第12项 所述之方法,更包含: 于导引蚀刻流体至晶圆背面之同时,刷洗晶圆之背 面。15.如申请专利范围第13项所述之方法,更包含: 于导引蚀刻流体至晶圆背面之同时,刷洗晶圆之背 面。16.如申请专利范围第14项所述之方法,其中导 引蚀刻流体至晶圆之背面包含将蚀刻流体导引至 位于晶圆侧边上之刷洗机刷子上。17.如申请专利 范围第15项所述之方法,其中导引蚀刻流体至晶圆 之背面包含将蚀刻流体导引至位于晶圆背面上之 刷洗机刷子上。18.一种刷洗一晶圆正面及蚀刻该 晶圆背面之方法,该方法包括: 放置一晶圆于一刷洗机中,该晶圆具有一包含氧化 物之氧化区域,及一包含金属之金属区域,两区域 均形成于晶圆之正面; 施加一蚀刻氧化物但不蚀刻金属之流体至晶圆之 正面; 刷洗晶圆之正面;及 施加一蚀刻金属之流体至晶圆之背面。19.如申请 专利范围第18项所述之方法,更包含步骤: 刷洗晶圆之背面。20.如申请专利范围第18项所述 之方法,其中施加流体至正面及施加流体至背面系 同时发生。21.如申请专利范围第20项所述之方法, 更包含刷洗晶圆之背面,其中刷洗晶圆之正面及背 面系同时发生。22.如申请专利范围第20项所述之 方法,其中上述之施加至正面之流体包含柠檬酸, 氢氧化铵及去离子水,及其中施加至背面之流体包 含柠檬酸,氢氧化铵,过氧化氢及去离子水。图式 简单说明: 第1图为本发明之刷洗机之侧视图,其系适用以蚀 刻晶圆之背面及清洗晶圆之正面。 |
