| 主权项 |
1.一种制造单电子电晶体的方法,该方法包括下列 步骤: 提供一至少具有二电极之基板 于该基板上沈积一奈米粒子;以及 以一去氧核醣核酸连接该奈米粒子,以形成一奈米 粒子链,用以连结该二电极。2.如申请专利范围第1 项所述之制造单电子电晶体的方法,其中该基板包 括含二氧化矽之基板。3.如申请专利范围第1项所 述之制造单电子电晶体的方法,其中该奈米粒子的 材质系选自金、钯、银、钛、铜、镉、汞、镍、 二氧化矽、三氧化铝、氧化镍、二氧化钛所组之 族群。4.如申请专利范围第1项所述之制造单电子 电晶体的方法,其中该去氧核醣核酸之5'端具一烷 基硫醇。5.如申请专利范围第4项所述之制造单电 子电晶体的方法,其中该去氧核醣核酸之5'端之该 烷基硫醇连结该奈米粒子。6.一种制造单电子电 晶体的方法,该方法包括下列步骤: 提供一至少具有二电极之基板 于该基板上沈积一第一奈米粒子; 于该第一奈米粒子黏附一第一去氧核醣核酸;以及 于该基板上沈积一第二奈米粒子,且该第二奈米粒 子黏附有一第二去氧核醣核酸,并藉由该第一去氧 核醣核酸连结该第二去氧核醣核酸,以连结该第一 奈米粒子与该第二奈米粒子,以形成一奈米粒子链 ,用以连结该二电极。7.如申请专利范围第6项所述 之制造单电子电晶体的方法,其中该基板包括含二 氧化矽之基板。8.如申请专利范围第6项所述之制 造单电子电晶体的方法,其中该第一奈米粒子的材 质系选自金、钯、银、钛、铜、镉、汞、镍、二 氧化矽、三氧化二铝、氧化镍、二氧化钛所组之 族群。9.如申请专利范围第6项所述之制造单电子 电晶体的方法,其中该第二奈米粒子的材质系选自 金、钯、银、钛、铜、镉、汞、镍、二氧化矽、 三氧化二铝、氧化镍、二氧化钛所组之族群。10. 如申请专利范围第6项所述之制造单电子电晶体的 方法,其中该第一去氧核醣核酸之5'端具一烷基硫 醇。11.如申请专利范围第6项所述之制造单电子电 晶体的方法,其中该第二去氧核醣核酸之5'端具一 烷基硫醇。12.如申请专利范围第6项所述之制造单 电子电晶体的方法,其中该第一去氧核醣核酸之5' 端之该烷基硫醇连结该第一奈米粒子。13.如申请 专利范围第6项所述之制造单电子电晶体的方法, 其中该第二去氧核醣核酸之5'端之该烷基硫醇连 结该第二奈米粒子。14.如申请专利范围第6项所述 之制造单电子电晶体的方法,其中该第一去氧核醣 核酸与该第二去氧核醣核酸为互补。15.如申请专 利范围第6项所述之制造单电子电晶体的方法,其 中该第一去氧核醣核酸之5'端互补于该第二去氧 核醣核酸之3'端。图式简单说明: 第1图所绘示为习知之一种微粒型单电子电晶体的 示意图; 第2图所绘示为习知以双硫醇为连结剂接上两个第 二层金粒子之一种微粒型单电子电晶体的示意图; 第3图所绘示为去氧核醣核酸的5'端接上烷基硫醇( mercaptoalkane)的示意图; 第4图所绘示为去氧核醣核酸的互补关系以及长度 与硷基个数的关系图; 第5图所绘示为第一层金粒子因带负电而分散地沈 积于基板上的示意图; 第6图所绘示为第一层金粒子接上5'端带有硫醇基 之去氧核醣核酸的示意图;以及 第7图所绘示为以去氧核醣核酸为连结剂接上二层 金粒子之示意图。 |
