| 主权项 |
1.一种于一处理室中对一基片上薄膜退火之系统, 包括: 一微波发生器,用以提供微波至室内部之一区域, 该微波具有一频率,俾该薄膜实质上吸收该频率能 量,惟该基片实质上不吸收该频率能量;以及 一波导,用来分布微波于薄膜表面上以提供一大致 均匀的微波配量于该薄膜表面上。2.如申请专利 范围第1项之系统,其中频率为2.45 GHz。3.一种于一 处理室中对一薄膜退火之方法,包括以下步骤: (a)于处理室中将一薄膜淀积于基片上; (b)于该淀积步骤所历至少一部份时间内产生一具 有一频率之微波,俾该薄膜于该频率具有一吸收峰 値,惟该基片于该频率缺少一实质峰値;以及 (c)使该微波朝向该薄膜。4.如申请专利范围第3项 之方法,其中该淀积步骤包含形成一矽烷电浆于处 理室内之步骤。5.如申请专利范围第4项之方法,其 中该薄膜为无定形矽,且该基片为玻璃。6.如申请 专利范围第5项之方法,其中该频率为2.45 GHz。7.一 种于一热化学处理室中对一无定形矽薄膜退火以 形成一聚矽薄膜之方法,包括以下步骤: (1)于处理室中淀积一无定形矽膜于一玻璃基片上; (2)产生具有一频率之微波,俾该无定形矽薄膜实质 上吸收该频率能量,惟该玻璃实质上不吸收该频率 能量;以及 (3)导引微波至该无定形矽薄膜之表面,俾该无定形 矽薄膜变成一聚矽薄膜。8.一种于一处理室中对 一薄膜退火之方法,包括以下步骤: (a)于处理室中提供一薄膜于一基片上; (b)产生具有一频率之微波,俾该薄膜实质上吸收该 频率能量,惟该基片实质上不吸收该频率能量; (c)导引微波至该薄膜表面;以及 (d)对该薄膜加热一段预定期间。9.如申请专利范 围第8项之方法,其中该薄膜为无定形矽,且该基片 为玻璃。10.如申请专利范围第9项之方法,其中该 频率为2.45 GHz。11.一种于一处理室中对一薄膜退 火之方法,包括以下步骤: (a)于处理室中提供一薄膜于一基片上; (b)提供一气体于处理室中;以及 (c)产生具有一频率之微波,俾微波感生至少一部份 该气体之电浆,且该微波感生电浆传送极大热能之 薄膜。12.一种于一处理室中淀积并退火一薄膜之 方法,包括以下步骤: (a)提供一基片于处理室中; (b)提供一气体于处理室中; (c)产生具有一频率之微波,俾微波一部份感生至少 一部份该气体之电浆; (d)自电浆淀积一薄膜于基片上;以及 (e)导引微波至该薄膜表面,该微波具有一频率,俾 该薄膜实质上吸收该频率能量,惟该基片实质上不 吸收该频率能量。图式简单说明: 图1系一使用一微波退火系统之PECVD处理室之剖视 图。 图2系根据本发明一实施例使用一微波发生器以及 薄膜退火用波导之一室之示意图。 |
