| 主权项 |
1.含钴金属的氧化钴(二价)之制法,其特点为使经结晶之下式硷性钴化合物Co[(OH)2]a[O]b[CO3]c式中1.5≧(a+b+c)≧1.0,与选自包含具2至10个碳原子之直链或支链、饱和或不饱和脂族多元羧酸及具2至7个碳原子之直链或支链、饱和或不饱和单-及多元羟基-脂族羧酸之羧酸的水溶液及/或醇溶液反应,从悬浮液中将如此制得之固体分离并予以锻烧;其中锻烧系于惰性气体氛围中,在200和1000℃间之温度下进行及反应系先于室温进行0.1至3小时,然后于50至100℃进行0.1至3小时,在完成锻烧后,氧化钴(二价)内部和外部表面均覆盖着钴金属。2.根据申请专利范围第1项之制法,其中锻烧系于500至800℃之温度下进行。3.根据申请专利范围第1项之制法,其中反应系先于室温进行0.5至1.5小时,然后在70至90℃进行0.1至3小时。4.根据申请专利范围第1项之制法,其特点为较佳使用己二酸、丁二酸、戊二酸、顺丁烯二酸、丙二酸、草酸、酒石酸及/或柠檬酸作为羧酸。5.根据申请专利范围第1至4项中任一项之制法,其特点为经结晶之硷性Co化合物之粒子大小在0.5至50微米之范围内。6.根据申请专利范围第5项之制法,其中经结晶之硷性Co化合物之粒子大小在2至20微米之范围内。7.根据申请专利范围第1至4项中任一项之制法,其特点为使用具有球状形态之化合物作为经结晶之硷性Co化合物。8.根据申请专利范围第1至4项中任一项之制法,其特点为反应系在50至100℃之温度范围内进行,其中在接下来钴金属的锻烧中,金属钴主要位于氧化钴(二价)外部表面。9.根据申请专利范围第8项之制法,其中反应系在70至90℃之温度范围内进行。图式简单说明:第一图说明本发明实例2中制得之含钴金属之氧化钴(二价)的粉末(放大倍数5000X)。第二图说明金属钴主要位于氧化钴(二价)外表面之氧化钴(二价)微切面之扫描电子显微镜照片(放大倍数4000X)。第三图说明金属钴以集中状态存在于氧化钴(二价)内表面及外表面二者之氧化钴(二价)微切面的照片(放大倍数5000X)。 |
