Nichtflüchtiger Halbleiterspeicher sowie zugehöriges Programmierverfahren

摘要

Die Erfindung bezieht sich auf einen nichtflüchtigen Halbleiterspeicher mit einem Speicherzellenfeld (100), das mehrere mit jeweiligen Bitleitungen (BL0, BL1) verbundene Speicherzellenketten umfasst, mehreren Seitenpuffern (130) und mehreren Transistoren (M0, M1) zwischen den Bitleitungen und den Seitenpuffern sowie auf ein zugehöriges Programmierverfahren. DOLLAR A Erfindungsgemäß legt eine Bitleitungsspannungssteuereinheit (110) eine Bitleitungssteuerspannung an Gateelektroden der Transistoren an, wobei die Bitleitungssteuerspannnung auf eine erste Spannung während einer ersten Bitleitungseinschwingphase aufgeladen und auf eine zweite Spannung während einer zweiten Bitleitungseinschwingphase aufgeladen wird, wobei die zweite Spannung niedriger als die erste Spannung ist. Dadurch wird eine Schwellenspannung eines parasitären Transistors auf einen Pegel oberhalb einer Programmierspannung angehoben. Somit wird der parasitäre Transistor während einer Programmierung abgeschaltet. Dies verhindert Programmierstörungen aufgrund eines Leckstromes durch den parasitären Transistor. DOLLAR A Verwendung z. B. für Flash-Speicherbauelemente.