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Um eine rasche Erwärmung von Substraten, insbesondere Halbleiterwafern, in einem Behandlungsbecken vorzusehen, sieht die folgende Erfindung eine Vorrichtung und ein Verfahren zum Behandeln von Substraten, insbesondere von Halbleiterwafern, in einem Behandlungsbecken vor, bei dem ein erstes erhitzes Fluid zum Erwärmen der Substrate in das Behandlungsbecken eingeleitet und später ausgeleitet wird, die Substrate mit einer Strahlungsquelle erwärmt werden, und wenigstens ein Behandlungsfluid in das Behandlungsbecken eingeleitet wird.
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