Verfahren zum Überwachen der Herstellung integrierter Schaltkreise abhängig von einem Wafer zu Waferlayoutversatz

摘要

Erläutert wird ein Verfahren, bei dem in einer Grundbelichtungsstufe ein Halbzeug belichtet wird, aus dem mehrere integrierte Schaltkreise hergestellt werden. Gemäß der Belichtung werden auf dem Halbzeug Strukturen erzeugt, die nach dem erneuten Einbringen des Halbzeuges in eine Belichtungsanlage zur Lagebestimmung genutzt werden (Schritt 112). Abhängig von der erfassten Lage des Halbzeuges und abhängig von einem Toleranzwert wird automatisch eine Prüfung auf Lagefehler ausgeführt.