| 主权项 |
1.一种积体电路保护层(passivation)之制造方法,包括以下步骤:提供一已建构有一积体电路之基底;依序沉积一第一氮化层及氧化层;在该氧化层表面形成复数凹槽;沉积一第二氮化层,顺应性覆盖该氧化层及该等凹槽。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该基底之顶层系一内连线层。3.如申请专利范围第2项所述之方法,其中该内连线层系使用镶嵌式铜制程完成。4.如申请专利范围第2项所述之方法,其中该内连线层包括一绝缘层及形成于该绝缘层内之复数导线。5.如申请专利范围第4项所述之方法,其中该绝缘层系氧化矽层。6.如申请专利范围第4项所述之方法,其中该等导线系由铜构成。7.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该氧化层系氧化矽层。8.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第一及第二氮化层系氮化矽层。9.一种积体电路保护层(passivation)之制造方法,包括以下步骤:提供一已建构有一积体电路之基底,顶层具有一绝缘层;沉积一第一氮化层;对该第一氮化层及该绝缘层进行蚀刻而形成复数凹槽;依序沉积一氧化层及一第二氮化层,顺应性覆盖该第一氮化层及该等凹槽。10.如申请专利范围第9项所述之方法,其中该基底之顶层系一内连线层。11.如申请专利范围第10项所述之方法,其中该内连线层系使用镶嵌式铜制程完成。12.如申请专利范围第10项所述之方法,其中该内连线层包括该绝缘层及形成于该绝缘层内之复数导线。13.如申请专利范围第12项所述之方法,其中该等导线系由铜构成。14.如申请专利范围第9项所述之方法,其中该绝缘层系氧化矽层。15.如申请专利范围第9项所述之方法,其中该氧化层系氧化矽层。16.如申请专利范围第9项所述之方法,其中该第一及第二氮化层系氮化矽层。17.一种积体电路保护层(passivation)之制造方法,包括以下步骤:提供一已建构有一积体电路之基底,顶层具有一绝缘层;对该绝缘层进行蚀刻而在该基底表面形成复数凹槽;依序沉积一第一氮化层、一氧化层及一第二氮化层,顺应性覆盖该基底及该等凹槽。18.如申请专利范围第17项所述之方法,其中该基底之顶层系一内连线层。19.如申请专利范围第18项所述之方法,其中该内连线层系使用镶嵌式铜制程完成。20.如申请专利范围第18项所述之方法,其中该内连线层包括该绝缘层及形成于该绝缘层内之复数导线。21.如申请专利范围第20项所述之方法,其中该等导线系由铜构成。22.如申请专利范围第17项所述之方法,其中该绝缘层系氧化矽层。23.如申请专利范围第17项所述之方法,其中该氧化层系氧化矽层。24.如申请专利范围第17项所述之方法,其中该第一及第二氮化层系氮化矽层。图式简单说明:第一图系一传统保护层之结构;第二图A-第二图D显示本发明一实施例之保护层制造方法之流程;第三图系本发明一实施例之保护层的上视图;第四图A-第四图D显示本发明一实施例之保护层制造方法之流程;第五图A-第五图C显示本发明一实施例之保护层制造方法之流程。 |
