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Eine Membran (12), die sich abhängig von einem daran angelegten Druck verformt, und ein Signalprozessorschaltkreis (14) werden auf einem Halbleitersubstrat (10) ausgebildet, das eine (110)-Flächenorientierung aufweist. Dehnungsmessstreifen (Ra, Rb), die die Membranverformung in ein elektrisches Signal (Vout) umwandeln und eine Brückenschaltung ausbilden, sind auf der Membran ausgebildet. Das elektrische Signal der Brückenschaltung wird durch den Signalprozessorschaltkreis (14) verarbeitet. Ein Transistorenpaar (15a, 15b), das in dem Signalprozessorschaltkreis eine Eingangsschaltung eines Verstärkers (15) bildet, ist auf dem Substrat (10) angeordnet, um deren Source-Drain-Stromrichtungen auszugleichen. Ein Wärmebelastungseinfluss auf die Sensorausgabe wird minimiert, da Sensorkomponenten auf dem Substrat (10) ausgebildet sind, die eine (110)-Flächenorientierung aufweisen, und dadurch der an der Membran (12) angelegte Druck genau erfasst wird.
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