| 摘要 |
<p>본 발명은 반도체장치 제조방법에 관한 것으로, 종래 반도체장치 제조방법은 처음부터 단계별로 제작하므로 공정시간이 오래 걸리며 후속공정에 대한 개발을 위해 모든공정을 처음부터 순서대로 진행해야하는 문제점이 있었다. 따라서 본 발명은 제 1반도체기판상에 반도체소자를 형성하고 그 상부에 층간절연막을 형성한 후 상기 반도체소자와 연결되는 컨택을 형성하고, 그 형성된 웨이퍼 상부전면에 실리콘막을 형성하는 제 1공정과; 제 2반도체기판상에 다층의 금속배선을 형성하고, 그 상부에 층간절연막을 형성한 후 상기 제 1반도체기판 상의 컨택과 대칭되는 위치에 상기 금속배선과 연결되는 컨택을 형성하고, 그 형성된 웨이퍼 상부전면에 실리콘막을 형성하는 제 2공정과; 상기 제1,제2 공정을 통해 형성한 두장의 웨이퍼에서 제 1공정을 통한 웨이퍼를 기준으로 제 2공정을 통한 웨이퍼를 뒤집어 각 공정에서 형성한 컨택이 서로 마주보도록 접촉한 상태에서 열처리하여 접합시킨 다음 제 2반도체기판을 제거하는 제 3공정으로 이루어지는 반도체장치 제조방법을 통해 시간이 많이 걸리는 다층배선을 포함한 반도체장치의 제조에 있어서 반도체소자가 형성되는 웨이퍼와, 배선만이 형성되는 웨이퍼를 동시에 제조한 후 서로 접합하여 하나의 완성된 웨이퍼를 제조할 수 있도록 함으로써 개발 및 제조시간을 절반으로 단축시키며, 각 웨이퍼는 완성된 하나의 웨이퍼보다 높이가 낮으므로 공정이 용이해지는 효과가 있다.</p> |
