| 主权项 |
1.一种电子束写入方法,包括下列步骤:准备一罩幕,该罩幕上具有数区域,一分段图形则形成于各区域上,该分段图形则是经由分割将被写入的一图形而得到,根据一面积密度;以及将一电子束经由该罩幕而发射到一晶圆上,以使不同的电子束放射量经由该区域的每个该区域而被供应。2.如申请专利范围第1项所述之电子束写入方法,其中该步骤(b)的执行系以变动移动该罩幕所在之平台的速率而得到。3.如申请专利范围第1项所述之电子束写入方法,其中该步骤(b)的执行系以变动移动该晶圆所在之平台的速率而得到。4.如申请专利范围第1.2或3项所述之电子束写入方法,其中该区域被安排在该罩幕的一条线上,而该晶圆则往复通过该步骤(b)之该等区域之每一区域。5.如申请专利范围第4项所述之电子束写入方法,其中为于该等区域之间的每一第二区域上的一分段图形被形成为相关于原始分段图形之反射影像。6.如申请专利范围第1.2或3项所述之电子束写入方法,其中该罩幕系在该步骤(b)之该等区域内的每一区域内往复。7.如申请专利范围第4项所述之电子束写入方法,其中安排在一线上的该区域具有在相同方向上被扫描的分段图形。8.如申请专利范围第1.2或3项所述之电子束写入方法,其中该区域的每一区域皆为方形,其边长为Y/2,其中Y表示双高斯分布模型等式的后散射直径。9.如申请专利范围第5项所述之电子束写入方法,其中该晶圆在一个相反于该罩幕移动方向的方向上移动。10.如申请专利范围第1.2或3项所述之电子束写入方法,其中该罩幕具有第一到第三区域,各区域上并分别形成有第一到第三分段图形,该第一到第三区域系以此种方式安排在一线上,该第二分段图形则被形成为一相对于一原始分段图形之反射影像;及该步骤(b)尚包括下列步骤:(b1)将该罩幕在第一方向上移动,而该晶圆则在第二方向上移动,以便使用一电子束对该第三区域加以曝光,该第一与第二方向则彼此相反;(b2)将该罩幕在该第一方向上移动,而该晶圆则在该第一方向上移动,以便对该第二区域以一电子束加以曝光;以及(b3)将该罩幕在该第一方向上移动,而该晶圆则在该第二方向上移动,以便对该第一区域以一电子束加以曝光。11.如申请专利范围第1.2或3项所述之电子束写入方法,其中该区域被重复安排于该罩幕的一群组上,在一群组上的该区域具有相同的分段图形组。12.如申请专利范围第11项所述之电子束写入方法,其中在每一群组之该区域之间的每一第二区域的一分段图形被形成为一相关于原始分段图形的一反射影像。13.一电子束微影装置,包括:一电子束源,用以发射一电子束;一晶圆平台,一晶圆可被安装于其上,该平台可在水方向移动;以及一可水平移动的罩幕,放置于该晶圆平台之上,该电子束通过该罩幕并到达该晶圆,其特征在于:该罩幕具有数区域,而在每一区域内皆有一分段图形形成,该分段图形系由分割将被写入的图形而形成,依据一面积密度;以及该电子束微影装置尚包括(d)一控制器,为该区域中的每一区域依据该面积密度控制至少该罩幕与该晶圆平台其中之一的速度。14.如申请专利范围第13项所述之电子束微影装置,其中该控制器为具有较大面积密度的区域设定至少该罩幕与该晶圆平台其中之一的较小速度。15.如申请专利范围第13项所述之电子束微影装置,其中该等区域被安排在该罩幕的一条线上,而该控制器移动该晶圆在每个该区域系为往复式的。16.如申请专利范围第13.14或15项所述之电子束微影装置,其中在该罩幕的该等区域之间的每一第二区域之一分段图形被形成为一相关于原始分段图形之反射式影像。17.如申请专利范围第13.14或15项所述之电子束微影装置,其中移动该罩幕之该控制器在该等区域中之每一区域系为往复式的。18.如申请专利范围第13.14或15项所述之电子束微影装置,其中安排在该罩幕的一条线上的该等区域具有在相同方向上被扫描的分段图形。19.如申请专利范围第13.14或15项所述之电子束微影装置,其中该等区域中的该区域的每一区域被形成为一方形,其边长为Y/2,其中Y系表示双高斯分布模型等式中之一后散射直径。20.如申请专利范围第13.14或15项所述之电子束微影装置,其中该控制器在一相反于该罩幕被移动的方向上移动该晶圆平台。21.如申请专利范围第13.14或15项所述之电子束微影装置,其中该罩幕具有第一到第三区域,在每一区域中则分别有第一到第三分段图形形成,该第一到第三区域以这种顺序被安排在一条线上,该第二分段图形被形成为相关于原始分段图形之反射影像,而其中该控制器系:(d1)当该第三区域被曝光在一电子束之下时,在第一方向移动该罩幕,并在第二方向移动该晶圆平台,该第一与第二方向系彼此相反的;(d2)当该第二区域被曝光在一电子束之下时,在该第一方向移动该罩幕并在该第一方向移动该晶圆平台;以及(d3)当该第一区域被曝光在一电子束之下时,在该第一方向移动该罩幕并在该第二方向移动晶圆平台。22.如申请专利范围第13.14或15项所述之电子束微影装置,其中该区域被重复安排在该罩幕的一群组中,群组中的该等区域具有相同的分段图形组。23.如申请专利范围第13.14或15项所述之电子束微影装置,其中在每群组的该等区域之间的每一个第二区域的分段图形被形成为一相关于一原始分段图形的反射影像。24.一种使用于电子束微影的罩幕,具有数区域,在每一区域中有一分段图形形成,该分段图形系依据一面积密度而分割将被写入的图形而得到的图形。25.如申请专利范围第24项所述之罩幕,其中该区域被安排在该罩幕的一条线上。26.如申请专利范围第24或25项所述之罩幕,其中该等区域之间的每一第二区域之一分段图形被形成为相关于原始分段图形之反射影像。27.如申请专利范围第24或25项所述之罩幕,其中被安排在一条线上的该区域具有在同一方向上被扫描的分段图形。28.如申请专利范围第24或25项所述之罩幕,其中该区域中的每一区域之形状为方形,其边长为Y/2,其中Y表示双高斯分布模型等式中的后散射直径。29.如申请专利范围第24或25项所述之罩幕,其中该等区域被重复安排于该罩幕的一群组中,群组中的该等区域具有相同的分段图形组。30.如申请专利范围第24或25项所述之罩幕,其中每一群组中的该等区域之间的每一第二区域被形成为相关于原始分段图形的反射影像。图式简单说明:第一图系一罩幕之图形的平面图,该罩幕系用于一电子束写入方法,根据第一实施例。第二图系一罩幕的平面图,该罩幕用于电子束写入方法,根据第一实施例。第三图系一电子束微影装置之侧视图,该电子束写入装置系用于实现电子束写入方法,根据第一实施例。第四图系一罩幕的平面图,该罩幕用于一电子束写入系统,根据本发明之第一实施例的一变体。第五图系一电子束微影装置之侧视图,该电子束微影装置系用于实现电子束写入方法,根据第一实施例的变体。第六图系一罩幕的平面图,该罩幕用于一电子束写入系统,根据第一实施例的另一变体。 |
