| 主权项 |
1.一种电子束曝光遮罩,包含:一个主要遮罩,此主要遮罩具有复数个主要分割遮罩;及一个或一个以上之补偿遮罩,此补偿遮罩具有一个或一个以上之无缺陷的次要分割遮罩,并以该主要分割遮罩群中有缺陷的主要分割遮罩之图形,构成各个次要分割遮罩。2.如申请专利范围第1项之电子束曝光遮罩,其中该主要遮罩和至少一个之补偿遮罩皆配置于同一基材上。3.如申请专利范围第1项之电子束曝光遮罩,其中该补偿遮罩至少包含一个或一个以上之无缺陷的再次要分割遮罩,并以该主要分割遮罩群中之部分主要分割遮罩之图形,构成各个再次要分割遮罩,不论其中之主要分割遮罩是否具有缺陷。4.如申请专利范围第3项之电子束曝光遮罩,其中该补偿遮罩包含复数个相同图形之分割遮罩。5.如申请专利范围第3项之电子束曝光遮罩,其中该次要分割遮罩群配置在紧邻主要遮罩之位置上。6.如申请专利范围第3项之电子束曝光遮罩,其中该次要分割遮罩群配置在主要遮罩周围之位置上。7.如申请专利范围第1项之电子束曝光遮罩,其中该电子束曝光遮罩是由一膜片遮罩或由一模板遮罩构成。8.一种电子束曝光方法,包含以申请专利范围第1项之电子束曝光遮罩进行曝光之步骤,当该主要分割遮罩上没有缺陷时,使用该主要分割遮罩,若该主要分割遮罩上出现缺陷时,则使用相对于该主要分割遮罩之该次要分割遮罩。9.一种电子束曝光方法,包含以下步骤:记录一有缺陷的主要分割遮罩之位址,此主要分割遮罩位于一主要遮罩之复数个主要分割遮罩中;记录一相对于该有缺陷的主要分割遮罩之次要分割遮罩之位址,此次要分割遮罩位于一补偿遮罩中,该补偿遮罩具有一个或一个以上无缺陷的次要分割遮罩,并以该主要分割遮罩群中有缺陷的主要分割遮罩之图形,构成各个次要分割遮罩;及当该有缺陷的主要分割遮罩之位址被标示出时,以相对于该主要分割遮罩之该次要分割遮罩之位址替代。10.一种半导体装置之制造方法,包含以下之步骤:在一半导体基材表面上形成一电子束阻剂薄膜;依申请专利范围第8项之方式于该电子束阻剂薄膜上进行曝光。11.一种半导体装置之制造方法,包含以下步骤:在一半导体基材表面上形成一电子束阻剂薄膜;依申请专利范围第9项之方式于该电子束阻剂薄膜上进行曝光。12.一种电子束曝光设备,具有:一个电子枪,用以发射电子束;一个遮罩底座,用以放置接收部分电子束之曝光遮罩,该曝光遮罩具有:一个主要遮罩,此主要遮罩具有复数个主要分割遮罩,及一个或一个以上之补偿遮罩,此补偿遮罩具有一个或一个以上之次要分割遮罩,并以该主要遮罩群中有缺陷的主要分割遮罩之图形,构成各个次要分割遮罩;一个晶圆底座,用以放置具有电子束阻剂薄膜之晶图;一个第一电子束光学系统,用以将该电子束投射至该电子束曝光遮罩上;一个第二电子束光学系统,用以将透过该电子束曝光遮罩之该电子束投射至该电子束阻剂薄膜上;一个记忆体装置,用以储存该主要分割遮罩群中有缺陷的主要分割遮罩之位址,及相对于该主要分割遮罩之次要分割遮罩之位址;及一个控制装置,用以控制该电子束在该第一及第二光学系统中之偏斜角度,当该具有缺陷的主要分割遮罩之位址被标示出时,该控制装置会以相对于该主要分割遮罩之该次要分割遮罩之位址代替。图式简单说明:第一图A为一习用膜片遮罩剖面图,第一图B则为一习用模板遮罩剖面图第二图系本发明第一实施例之电子束曝光遮罩平面图;第三图为一种利用曝光遮罩EM1之电子束曝光设备概念方块图;第四图为主要遮罩及补偿遮罩检验步骤之流程图;第五图显示一种运用本发明第一实施例之电子束曝光遮罩之曝光方式流程图;第六图说明分割遮罩的选用顺序;第七图显示另一种运用本发明第一实施例之电子束曝光遮罩之曝光方式流程图;第八图为本发明第二实施例之电子束曝光遮罩平面图;第九图为本发明第三实施例之电子束曝光遮罩平面图。 |
