| 主权项 |
1.一种用以产生一输出讯号之一半导体装置之一讯号产生电路的三态感测电路,包括:一第一交换单元,用以在该输出讯号之电压高于一预定第一参考电压时产生一激活的第一回应讯号;一第二交换单元,用以在该输出讯号之电压高于一大于该第一参考电压的预定第二参考电压时产生一激活之第二回应讯号;以及一感测讯号产生器,用以在该输出讯号具有一高于该第一参考电压且低于该第二参考电压的电压时,产生一由该第一与第二回应讯号激发之感测讯号。2.如申请专利范围第1项的三态感测电路,其中该三态感测电路尚包括一电容储存单元以供储存该感测讯号。3.如申请专利范围第1项或第2项的三态感测电路,其中该第一交换单元包括:一拉高单元,当该输出讯号不是大于该第一参考电压时,该拉高单元被打开;及一拉低单元,当该输出讯号不是小于该第一参考电压値时,该拉低单元被打开。4.如申请专利范围第1项的三态感测电路,其中该第二交换单元包括:一拉高单元,当该输出讯号的电压是低于该第二参考电压时,该拉高单元被打开;及一拉低单元,当该输出讯号的电压是高于该第二参考电压値时,该拉低单元被打开。5.一种半导体装置的讯号产生电路,包括:一主要电路,用以接收一预定输入讯号并产生一输出讯号;以及一个三态补偿电路,用以接收该输出讯号,并提供一控制讯号给该主要电路以在该输出讯号的电压处于一个三态位准时,将该输出讯号改变成一CMOS(互补式金属氧化物半导体)位准。6.如申请专利范围第5项的讯号产生电路,其中该三态补偿电路包括:一感测器以供感测到该输出讯号的电压是处于一三态位准并产生一激发感测讯号;一保存器以供产生一三态指示讯号以被轮流切换以回应该感测讯号之激活且亦被轮流切换以回应一主要电路控制讯号;及一补偿单元以在该输出讯号的电压处于该三态位准时产生一CMOS(互补式金属氧化物半导体)位准之输出讯号以回应该三态指示讯号。7.如申请专利范围第6项的讯号产生电路,其中该感测器包括:一第一交换单元以用于在该输出讯号之电压高于一预定第一参考电压时产生一激发的第一回应讯号;一第二交换单元以用于在该输出讯号之电压低于一大于该第一参考电压的预定第二参考电压时产生一激发之第二回应讯号;及一感测讯号产生器以供产生一感测讯号,当该输出讯号具有一高于该第一参考电压且低于该第二参考电压的电压时,该第一及第二回应讯号将该感测讯号激发。8.如申请专利范围第6项的讯号产生电路,其中该保存器包括:一三态回应单元以供产生一输出讯号以被轮流切换以回应该感测讯号之激活且亦被轮流切换以回应一主要电路控制讯号;及一闩锁单元以供闩锁该三态回应单元之输出讯号。9.如申请专利范围第5项的讯号产生电路,其中该主要电路是选自于包括一输入缓冲器、一输出缓冲器、一类比-至-数位转换器、一参考电压产生器及一用以产生一预定内部电压之内部电压产生电路的群组其中之一。10.一种半导体装置的讯号产生电路,包括:一主要电路,用以比较至少二输入讯号之电压并产生一输出讯号;及一个三态补偿电路,用以接收该输出讯号,并提供一控制讯号给该主要电路以在该输出讯号的电压处于一个三态位准时,将该输出讯号改变为一CMOS(互补式金属氧化物半导体)位准。11.如申请专利范围第10项的讯号产生电路,其中该三态补偿电路包括:一感测单元以供感测到该输出讯号的电压是处于一三态位准并产生一激发感测讯号;一保存单元以供产生一三态指示讯号以被轮流切换以回应该感测讯号之激活且亦被轮流切换以回应一主要电路控制讯号;及一CMOS(互补式金属氧化物半导体)电压产生器以在该输出讯号的电压处于一三态位准时产生一CMOS(互补式金属氧化物半导体)电压位准之输出讯号以回应该三态指示讯号。12.如申请专利范围第11项的讯号产生电路,其中该感测单元包括:一第一交换单元以用于在该输出讯号之电压高于一预定第一参考电压时产生一激发的第一回应讯号;一第二交换单元以用于在该输出讯号之电压低于一大于该第一参考电压的预定第二参考电压时产生一激发之第二回应讯号;及一感测讯号产生单元以供产生一感测讯号,当该输出讯号具有一高于该第一参考电压且低于该第二参考电压的电压时,该第一及第二回应讯号将该感测讯号激发。13.如申请专利范围第11项的讯号产生电路,其中该保存单元包括:一三态回应单元以供产生一输出讯号以被轮流切换以回应该感测讯号之激发且亦被轮流切换以回应一主要电路控制讯号;及一闩锁单元以供闩锁该三态回应单元之输出讯号。14.如申请专利范围第10项的讯号产生电路,其中该主要电路是选自包括一比较器、一差动放大器、一感测放大器、一参考电压产生器及一用以比较二输入讯号的电压并产生一预定电压之内部电压产生电路的群组其中之一。15.一种半导体装置的讯号产生电路,包括:一主要电路,用以接收一预定输入讯号并产生一输出讯号;以及一个三态补偿电路,用以补偿该输出讯号的三态位准并提供一控制讯号给该主要电路,以将该输出讯号改变为一高位准"1"或一低位准"0"。16.如申请专利范围第15项的讯号产生电路,其中该三态补偿电路包括:一感测单元以供感测到该输出讯号具有一三态位准并产生一激活感测讯号;一保存单元以供产生一三态指示讯号以被轮流切换以回应该感测讯号之激发且亦被轮流切换以回应一主要电路控制讯号;及一补偿单元以在该输出讯号的电压处于一三态位准时产生一CMOS(互补式金属氧化物半导体)位准之输出讯号以回应该三态指示讯号。17.如申请专利范围第16项的讯号产生电路,其中该感测单元包括:一第一交换单元以用于在该输出讯号之电压高于一预定第一参考电压时产生一激活的第一回应讯号;一第二交换单元以用于在该输出讯号不是大于一高于第一参考电压的预定第二参考电压时产生一激发之第二回应讯号;及一感测讯号产生器以供产生一感测讯号,当该输出讯号具有一高于该第一参考电压且低于该第二参考电压的电压时,该第一及第二回应讯号将该感测讯号激发。18.如申请专利范围第16项的讯号产生电路,其中该保存单元包括:一三态回应单元以供产生一输出讯号以被轮流切换以回应该感测讯号之激发且亦被轮流切换以回应一主要电路控制讯号;及一闩锁单元以供闩锁该三态回应单元之输出讯号。19.如申请专利范围第15项的讯号产生电路,其中该主要电路是选自包括一输入缓冲器、一输出缓冲器、一类比-至-数位转换器、一参考电压产生器及一用以产生一预定内部电压之内部电压产生电路群组的其中之一。图式简单说明:第一图是一根据本发明的讯号产生电路之方块图;第二图是一根据本发明的讯号产生电路之具体实施例的详细图电路图;第三图显示第二图的一感测器;第四图显示第二图的一保存器;及第五图显示根据一输出讯号(POUT)的电压之主要讯号电压。 |
