| 主权项 |
2.如申请专利范围第1项之自我清洁方法,其中系在实行一次上述第二膜形成工程后,对多数被成膜部件反覆实行上述第一膜形成工程与上述被成膜部件搬出工程,再予以实行上述腐蚀工程。3.如申请专利范围第1项之自我清洁方法,其中系对多数被成膜部件反覆实行上述第二膜形成工程与第一膜形成工程以及上述被成膜部件搬出工程后,再予以实行上述腐蚀工程。4.如申请专利范围第1项之自我清洁方法,其中系将上述反应室维持于减压状态,予以实行上述被成膜部件搬出工程与上述腐蚀工程。5.如申请专利范围第1项之自我清洁方法,其中系将上述反应室维持于减压状态,予以实行上述第二膜形成工程及上述第一膜形成工程。6.如申请专利范围第1项之自我清洁方法,其中上述第一膜系以氧化矽为主成份,上述第二膜乃以非晶矽或四氮化三矽为主成份。7.如申请专利范围第6项之自我清洁方法,其中系在上述第一膜形成工程使用四乙氧基矽烷形成氧化矽之第一膜。8.如申请专利范围第1项之自我清洁方法,其中将上述第一膜及第二膜以同一材料而变化成膜条件予以形成。9.如申请专利范围第8项之自我清洁方法,其中将上述第二膜以比第一膜腐蚀速度更快条件予以形成。10.如申请专利范围第8项之自我清洁方法,其中系在上述第一膜形成工程及上述第二膜形成工程分别使用四乙氧基矽烷予以形成氧化矽之第一膜及第二膜。图式简单说明:图1为本发明实施例有关薄膜形成装置之剖面显示图,图2为显示上述薄膜形成装置之成膜工程及自我清洁工程之时间图。 |
