随机存取记忆体细胞

摘要

一种随机存取记忆体细胞，其有一个第一电晶体与一个第二电晶体。其中，第一电晶体的控制闸耦接至一控制讯号，资料读取端耦接至资料读取线，接地端接地，浮动闸则位于部分的基板与部分的控制闸之间。第二电晶体的控制闸也稍接至控制讯号，资料写入端耦接至资料写入线，资料传输端则稍接至第一电晶体的浮动闸。其中，控制讯号在要将资料写入随机存取记忆体细胞时会提供一个写入控制电压，在要将资料读出随机存取记忆体细胞时会提供一个读出控制电压，且此写入控制电压大于读出控制电压。

主权项

2.如申请专利范围第1项所述之随机存取记忆体细胞,其中该第一电晶体系为一金属氧化半导体。3.如申请专利范围第2项所述之随机存取记忆体细胞,其中该资料读取端系为该金属氧化半导体的源极,且该接地端为该金属氧化半导体的汲极。4.如申请专利范围第2项所述之随机存取记忆体细胞,其中该资料读取端系为该金属氧化半导体的汲极,且该接地端为该金属氧化半导体的源极。5.如申请专利范围第1项所述之随机存取记忆体细胞,其中该第二电晶体系为一金属氧化半导体。6.如申请专利范围第5项所述之随机存取记忆体细胞,其中该资料写入端系为该金属氧化半导体的汲极,且该资料传输端为该金属氧化半导体的源极。7.如申请专利范围第5项所述之随机存取记忆体细胞,其中该资料写入端系为该金属氧化半导体的源极,且该资料传输端为该金属氧化半导体的汲极。图式简单说明:第1图绘示的是动态随机存取记忆体的记忆体细胞的电路架构图;第2图绘示的是静态随机存取记忆体的记忆体细胞的电路架构图;以及第3图绘示的是根据本发明之一较佳实施例的电路架构图。