| 发明名称 | 保护层的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种保护层的制造方法,此方法是在提供具有半导体元件的基底上形成介电层,接着,在介电层上形成衬层,之后,在衬层上形成焊垫,以电连接基底中的半导体元件与外界的封装支架,然后,在基底上形成保护层,以保护芯片的电路与元件,接着,移除部分保护层,而暴露出部分焊垫,之后,在焊垫上进行引线接合工艺。 | ||
| 申请公布号 | CN1357913A | 申请公布日期 | 2002.07.10 |
| 申请号 | CN00134488.9 | 申请日期 | 2000.12.04 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 王木俊 |
| 分类号 | H01L21/60;H01L21/28;H01L21/31 | 主分类号 | H01L21/60 |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波 |
| 主权项 | 1.一种保护层的制造方法，包括下列步骤：提供一基底，该基底上形成介电层；在介电层上形成一衬层；在衬层上形成一焊垫；在该半导体基底上形成一保护层；限定该保护层，直到暴露焊垫；以及在焊垫上进行导线接合工艺。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区 | ||