| 发明名称 | 薄膜晶体管及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种多晶硅薄膜晶体管,通过对非晶硅膜多次照射激光,实现由多个晶粒构成,通过抑制邻接晶粒的边界部分中突起的发生,成为至少2个以上的晶粒集合体,在该多晶硅薄膜晶体管的至少一部分中存在(111)优先取向的簇结晶;可达到200cm<SUP>2</SUP>/V·S以上的高迁移率特性。 | ||
| 申请公布号 | CN1357925A | 申请公布日期 | 2002.07.10 |
| 申请号 | CN01140707.7 | 申请日期 | 2001.07.20 |
| 申请人 | 株式会社日立制作所 | 发明人 | 田村太久夫;尾形洁;高原洋一;堀越和彦;山口裕功;大仓理;阿部广伸;斋藤雅和;木村嘉伸;糸贺敏彦 |
| 分类号 | H01L29/786;H01L21/324 | 主分类号 | H01L29/786 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 栾本生;叶恺东 |
| 主权项 | 1.一种薄膜晶体管，是在衬底上设置的半导体薄膜，其特征在于，所述半导体薄膜由多个晶粒构成，并且至少2个以上的所述晶粒集合的簇结晶至少存在于其一部分内。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||