发明名称 | 多位沟道电容器 | ||
摘要 | 此申请描述了一种第一个和第二个存储节点装备在沟道下部的多位沟道电容器。存储节点被电介质隔开,电介质层将传感电压分成高低电压范围,对应存储在第一和第二个存储节点中的数据。 | ||
申请公布号 | CN1358332A | 申请公布日期 | 2002.07.10 |
申请号 | CN00809507.8 | 申请日期 | 2000.06.06 |
申请人 | 因芬尼昂技术北美公司 | 发明人 | H·图斯 |
分类号 | H01L27/108;H01L21/8242 | 主分类号 | H01L27/108 |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 郑立柱;梁永 |
主权项 | 1、一个多位沟道电容器,包括:一个在基片中的沟道,此沟道包括上和下两个区;在沟道下区的侧壁有一个节点电介质层;电介质层将下区分隔成第一个存储部分以及在第一个存储区之上的第二个存储部分。 | ||
地址 | 美国加利福尼亚州 |