一种半导体器件及其制造工艺

摘要

一个MIS型场效应晶体管具有用硅化钛层(26a)覆盖的源/漏区(25e)，硅化钛层与埋入硅基片(20)的被埋入置的绝缘结构24相接，接触孔(27a)在氧化硅的中间绝缘层27中形成，中间绝缘层(27)暴露一部分上氮化硅层(23)和一部分硅化钛层(26a)于该接触孔(27a)，当中间绝缘层(27)被有选择地腐蚀以形成接触孔(27a)，上氮气硅层(23)就作为阻蚀层，接触孔(27a)绝不会到达埋置绝缘结构(24)下面的硅基片(20)。

主权项

1.一种在半导体基片(20)上制造的半导体集成电路组件，包括：一个埋入上述半导体基片(20)的表面部分的埋入绝缘结构(24)，它具有由第一绝缘体形成的上层(23)，上述被埋入的绝缘结构在上述半导体结构(20)中至少形成一个有源区；至少一个电路元件(25)，它包括一个在上述至少一个有源区中形成并与上述被埋入的绝缘结构(24)相连接的导电区(25e/26a)；一个由不同于所述第一绝缘体的第二绝缘体形成的中间绝缘层(27)，在上述半导体基片上延伸，它具有一个接触孔(27a)；一个在上述接触孔(27a)中形成的接触构件(28/29/30)，它和上述导电区(25e/26a)电连接；并且一个导线当(31)布置在上述中间绝缘层上，通过接触结构和上述导电区连接，其特征在于，上述中间绝缘层(27)暴露出一部分导电区和一部分被埋入的绝缘结构(24)的上层(23)于上述的接触孔(27a)，从而使上述接触结构(28/29/30)保持与上述导电区的上述部分和上述被埋入的绝缘结构的上述层的上述部分接触。