发明名称 | 半导体存储器及其存取方法 | ||
摘要 | 在半导体存储器中,刷新信号被产生,并根据此刷新信号而执行刷新操作。当数据被写入时,产生奇偶,且产生的奇偶被存储。当刷新操作和通常数据读出或写入操作彼此重叠时,根据奇偶来确定由于刷新操作优先而不能被读取的存储器单元中的数据。由于刷新操作优先而不能被写入的数据,被暂时保持在写入数据缓冲器中。当刷新操作不与通常数据读出或写入操作重叠时,保持在写入数据缓冲器中的数据被重新写入到相应的存储器单元中。 | ||
申请公布号 | CN1357891A | 申请公布日期 | 2002.07.10 |
申请号 | CN01125726.1 | 申请日期 | 2001.08.23 |
申请人 | 富士通株式会社 | 发明人 | 北本绫子;松宫正人;山本伸一;泷田雅人 |
分类号 | G11C11/401;G11C7/00 | 主分类号 | G11C11/401 |
代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
主权项 | 1.一种半导体存储器,它包含:根据写入数据的多个位而产生第一奇偶的奇偶发生单元;具有同时经历数据写入或读出操作的多个块的存储器单元阵列,各个块配备有多个存储写入数据的子阵列以及一个或更多个存储第一奇偶的阵列,各个子阵列配备有多个存储器单元;对各个子阵列执行刷新操作的刷新单元;以及对第一奇偶与第二奇偶进行比较以确定存储在多个子阵列中的写入数据的奇偶-数据比较单元,第二奇偶是借助于假设从多个子阵列之一读出的数据为0或1而产生,该读出数据由于刷新操作和数据读出操作同时执行时其它块被刷新操作激活而不能被存取。 | ||
地址 | 日本神奈川 |